公开(公告)号：US08796748B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13570157

申请日：2012-08-08

申请人： Fredrik Ramberg ,  Tse-Hua Lu ,  Tsun-Lai Hsu ,  Victor Chiang Liang ,  Chi-Feng Huang ,  Yu-Lin Wei ,  Shu Fang Fu

发明人： Fredrik Ramberg ,  Tse-Hua Lu ,  Tsun-Lai Hsu ,  Victor Chiang Liang ,  Chi-Feng Huang ,  Yu-Lin Wei ,  Shu Fang Fu

IPC分类号： H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/768 ,  H01L29/78 ,  H01L27/098 ,  H01L27/146 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/14614 ,  H01L27/14616 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7838

摘要： Transistors, methods of manufacturing thereof, and image sensor circuits are disclosed. In one embodiment, a transistor includes a buried channel disposed in a workpiece, a gate dielectric disposed over the buried channel, and a gate layer disposed over the gate dielectric. The gate layer comprises an I shape in a top view of the transistor.

摘要翻译： 公开了晶体管，其制造方法和图像传感器电路。 在一个实施例中，晶体管包括设置在工件中的掩埋沟道，设置在掩埋沟道上方的栅极电介质和设置在栅极电介质上的栅极层。 栅极层在晶体管的俯视图中包括I形状。

公开(公告)号：US20140042506A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US13570157

申请日：2012-08-08

申请人： Fredrik Ramberg ,  Tse-Hua Lu ,  Tsun-Lai Hsu ,  Victor Chiang Liang ,  Chi-Feng Huang ,  Yu-Lin Wei ,  Shu Fang Fu

发明人： Fredrik Ramberg ,  Tse-Hua Lu ,  Tsun-Lai Hsu ,  Victor Chiang Liang ,  Chi-Feng Huang ,  Yu-Lin Wei ,  Shu Fang Fu

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L31/08 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/14614 ,  H01L27/14616 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7838

摘要： Transistors, methods of manufacturing thereof, and image sensor circuits are disclosed. In one embodiment, a transistor includes a buried channel disposed in a workpiece, a gate dielectric disposed over the buried channel, and a gate layer disposed over the gate dielectric. The gate layer comprises an I shape in a top view of the transistor.

摘要翻译： 公开了晶体管，其制造方法和图像传感器电路。 在一个实施例中，晶体管包括设置在工件中的掩埋沟道，设置在掩埋沟道上方的栅极电介质和设置在栅极电介质上的栅极层。 栅极层在晶体管的俯视图中包括I形状。