公开(公告)号：US06939756B1

公开(公告)日：2005-09-06

申请号：US09818193

申请日：2001-03-26

申请人： Gilyong Chung ,  Chin Che Tin ,  John R. Williams ,  Kyle McDonald ,  Massimiliano Di Ventra ,  Robert A. Weller ,  Sokrates T. Pantelides ,  Leonard C. Feldman

发明人： Gilyong Chung ,  Chin Che Tin ,  John R. Williams ,  Kyle McDonald ,  Massimiliano Di Ventra ,  Robert A. Weller ,  Sokrates T. Pantelides ,  Leonard C. Feldman

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/3115

CPC分类号： H01L21/3145 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L21/31658 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

摘要： A method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device. In one embodiment, the method includes the following steps: a layer of silicon dioxide is formed on a silicon carbide substrate to create a silicon dioxide/silicon carbide interface and then nitrogen is incorporated at the silicon dioxide/silicon carbide interface for reduction in an interface trap density. The silicon carbide substrate, in one embodiment, includes a n-type 4H-silicon carbide.

摘要翻译： 一种制造碳化硅半导体器件的方法。 在一个实施例中，该方法包括以下步骤：在碳化硅衬底上形成一层二氧化硅以产生二氧化硅/碳化硅界面，然后在二氧化硅/碳化硅界面处并入氮以还原界面 陷阱密度。 在一个实施例中，碳化硅衬底包括n型4H-碳化硅。

公开(公告)号：US07235438B2

公开(公告)日：2007-06-26

申请号：US11122474

申请日：2005-05-05

申请人： Gilyong Chung ,  Chin-Che Tin ,  John R. Williams ,  Kyle McDonald ,  Massimiliano Di Ventra ,  Robert A. Weller ,  Socrates T. Pantelides ,  Leonard C. Feldman

发明人： Gilyong Chung ,  Chin-Che Tin ,  John R. Williams ,  Kyle McDonald ,  Massimiliano Di Ventra ,  Robert A. Weller ,  Socrates T. Pantelides ,  Leonard C. Feldman

IPC分类号： H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/3145 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L21/31658 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

摘要： In one aspect the present invention provides a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device. A layer of silicon dioxide is formed on a silicon carbide substrate and nitrogen is incorporated at the silicon dioxide/silicon carbide interface. In one embodiment, nitrogen is incorporated by annealing the semiconductor device in nitric oxide or nitrous oxide. In another embodiment, nitrogen is incorporated by annealing the semiconductor device in ammonia.In another aspect, the present invention provides a silicon carbide semiconductor device that has a 4H-silicon carbide substrate, a layer of silicon dioxide disposed on the 4H-silicon carbide substrate and a region of substantial nitrogen concentration at the silicon dioxide/silicon carbide interface.

摘要翻译： 一方面，本发明提供一种制造碳化硅半导体器件的方法。 在碳化硅衬底上形成二氧化硅层，并且在二氧化硅/碳化硅界面上并入氮。 在一个实施方案中，通过在一氧化氮或一氧化二氮中对半导体器件退火来引入氮。 在另一个实施方案中，通过用氨将半导体器件退火而并入氮气。 另一方面，本发明提供一种碳化硅半导体器件，其具有4H-碳化硅衬底，设置在4H-碳化硅衬底上的二氧化硅层和在二氧化硅/碳化硅界面处具有显着的氮浓度的区域 。

公开(公告)号：US20080128709A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11811396

申请日：2007-06-08

申请人： Gilyong Chung ,  Chin-Che Tin ,  John R. Williams ,  Kyle McDonald ,  Massimiliano De Ventra ,  Robert A. Weller ,  Socrates T. Pantelides ,  Leonard C. Feldman

发明人： Gilyong Chung ,  Chin-Che Tin ,  John R. Williams ,  Kyle McDonald ,  Massimiliano De Ventra ,  Robert A. Weller ,  Socrates T. Pantelides ,  Leonard C. Feldman

IPC分类号： H01L29/24

CPC分类号： H01L21/3145 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L21/31658 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

摘要： In one aspect the present invention provides a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device. A layer of silicon dioxide is formed on a silicon carbide substrate and nitrogen is incorporated at the silicon dioxide/silicon carbide interface. In one embodiment, nitrogen is incorporated by annealing the semiconductor device in nitric oxide or nitrous oxide. In another embodiment, nitrogen is incorporated by annealing the semiconductor device in ammonia.In another aspect, the present invention provides a silicon carbide semiconductor device that has a 4H-silicon carbide substrate, a layer of silicon dioxide disposed on the 4H-silicon carbide substrate and a region of substantial nitrogen concentration at the silicon dioxide/silicon carbide interface.

摘要翻译： 一方面，本发明提供一种制造碳化硅半导体器件的方法。 在碳化硅衬底上形成二氧化硅层，并且在二氧化硅/碳化硅界面上并入氮。 在一个实施方案中，通过在一氧化氮或一氧化二氮中对半导体器件退火来引入氮。 在另一个实施方案中，通过用氨将半导体器件退火而并入氮气。 另一方面，本发明提供一种碳化硅半导体器件，其具有4H-碳化硅衬底，设置在4H-碳化硅衬底上的二氧化硅层和在二氧化硅/碳化硅界面处具有显着的氮浓度的区域 。

公开(公告)号：US07727340B2

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：US11811396

申请日：2007-06-08

申请人： Gilyong Y. Chung ,  Chin-Che Tin ,  John R. Williams ,  Kyle McDonald ,  Massimiliano De Ventra ,  Robert A. Weller ,  Socrates T. Pantelides ,  Leonard C. Feldman

发明人： Gilyong Y. Chung ,  Chin-Che Tin ,  John R. Williams ,  Kyle McDonald ,  Massimiliano De Ventra ,  Robert A. Weller ,  Socrates T. Pantelides ,  Leonard C. Feldman

IPC分类号： H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/3145 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L21/31658 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

摘要： In one aspect the present invention provides a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device. A layer of silicon dioxide is formed on a silicon carbide substrate and nitrogen is incorporated at the silicon dioxide/silicon carbide interface. In one embodiment, nitrogen is incorporated by annealing the semiconductor device in nitric oxide or nitrous oxide. In another embodiment, nitrogen is incorporated by annealing the semiconductor device in ammonia.

摘要翻译： 一方面，本发明提供一种制造碳化硅半导体器件的方法。 在碳化硅衬底上形成二氧化硅层，并且在二氧化硅/碳化硅界面上并入氮。 在一个实施方案中，通过在一氧化氮或一氧化二氮中对半导体器件进行退火来引入氮。 在另一个实施方案中，通过用氨将半导体器件退火而并入氮气。

公开(公告)号：US20060024978A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US11122474

申请日：2005-05-05

申请人： Gilyong Chung ,  Chin-Che Tin ,  John Williams ,  Kyle McDonald ,  Massimiliano De Ventra ,  Robert Weller ,  Socrates Pantelides ,  Leonard Feldman

发明人： Gilyong Chung ,  Chin-Che Tin ,  John Williams ,  Kyle McDonald ,  Massimiliano De Ventra ,  Robert Weller ,  Socrates Pantelides ,  Leonard Feldman

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3145 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L21/31658 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

摘要： In one aspect the present invention provides a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device. A layer of silicon dioxide is formed on a silicon carbide substrate and nitrogen is incorporated at the silicon dioxide/silicon carbide interface. In one embodiment, nitrogen is incorporated by annealing the semiconductor device in nitric oxide or nitrous oxide. In another embodiment, nitrogen is incorporated by annealing the semiconductor device in ammonia. In another aspect, the present invention provides a silicon carbide semiconductor device that has a 4H-silicon carbide substrate, a layer of silicon dioxide disposed on the 4H-silicon carbide substrate and a region of substantial nitrogen concentration at the silicon dioxide/silicon carbide interface.

摘要翻译： 一方面，本发明提供一种制造碳化硅半导体器件的方法。 在碳化硅衬底上形成二氧化硅层，并且在二氧化硅/碳化硅界面上并入氮。 在一个实施方案中，通过在一氧化氮或一氧化二氮中对半导体器件退火来引入氮。 在另一个实施方案中，通过用氨将半导体器件退火而并入氮气。 另一方面，本发明提供一种碳化硅半导体器件，其具有4H-碳化硅衬底，设置在4H-碳化硅衬底上的二氧化硅层和在二氧化硅/碳化硅界面处具有显着的氮浓度的区域 。