公开(公告)号：US07063597B2

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：US10693683

申请日：2003-10-24

申请人： Gopalakrishna B. Prabhu ,  Thomas H. Osterheld ,  Garlen C. Leung ,  Adam H. Zhong ,  Peter McReynolds ,  Yi-Yung Tao ,  Gregory E. Menk ,  Vasanth N. Mohan ,  Christopher Heung-Gyun Lee

发明人： Gopalakrishna B. Prabhu ,  Thomas H. Osterheld ,  Garlen C. Leung ,  Adam H. Zhong ,  Peter McReynolds ,  Yi-Yung Tao ,  Gregory E. Menk ,  Vasanth N. Mohan ,  Christopher Heung-Gyun Lee

IPC分类号： B24B1/00

CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01L21/31053

摘要： Methods and compositions are provided for planarizing a substrate surface with reduced or minimal topographical defect formation during a polishing process for dielectric materials. In one aspect a method is provided for polishing a substrate containing two or more dielectric layers, such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, with at least one processing step using a fixed-abrasive polishing article as a polishing article. The processing steps may be used to remove all, substantially all, or a portion of the one or more dielectric layers, which may include removal of the topography, the bulk dielectric, or residual dielectric material of a dielectric layer in two or more steps.

摘要翻译： 提供的方法和组合物用于在电介质材料的抛光工艺期间使衬底表面平坦化，减少或最小的形貌缺陷形成。 在一个方面，提供一种用于使用固定磨料抛光制品作为抛光制品的至少一个加工步骤来研磨含有两个或更多个介电层的衬底的方法，例如氧化硅，氮化硅，氮氧化硅。 处理步骤可以用于去除一个或多个介电层的全部，基本上全部或一部分，其可以包括以两个或更多个步骤去除介电层的形貌，体电介质或残余电介质材料。

公开(公告)号：US06682636B2

公开(公告)日：2004-01-27

申请号：US09774286

申请日：2001-01-30

申请人： Vasanth N. Mohan ,  Jianxing Li ,  Timothy A. Scott

发明人： Vasanth N. Mohan ,  Jianxing Li ,  Timothy A. Scott

IPC分类号： C23C1434

CPC分类号： B22F3/1035 ,  B22D19/14 ,  B22F2998/10 ,  C22C28/00 ,  C23C14/3414 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/21 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/02

摘要： A method includes combining a solid first material and a solid second material and melting at least a portion of the first material sufficient to coat the second material and any remaining first material. An approximately homogenous distribution of the second material can be formed throughout the liquid phase of the first material. The first material liquid phase can then be solidified to define a composite target blank exhibiting an approximately homogenous distribution of the solid second material in a matrix of the solidified first material. The first material can comprise Se and the second material can comprise Ge. The composite target blank can include at least about 50 vol % matrix. The first and second materials can be powdered metals. Accordingly, a physical vapor deposition target can include a matrix of a first material and an approximately homogenous distribution of particles of a second material throughout the first material matrix. The second material can include powders exhibiting particle sizes no greater than about 325 mesh.

摘要翻译： 一种方法包括组合固体第一材料和固体第二材料，并熔化足以涂覆第二材料和任何剩余的第一材料的第一材料的至少一部分。 可以在第一材料的整个液相中形成大致均匀的第二材料分布。 然后可以将第一材料液相固化以限定在固化的第一材料的基质中显示固体第二材料的大致均匀分布的复合靶材坯料。 第一种材料可以包括Se，第二种材料可以包括Ge。 复合靶材坯料可以包括至少约50vol％的基体。 第一和第二种材料可以是金属粉末。 因此，物理气相沉积靶可以包括第一材料的基体和第二材料的颗粒在整个第一材料基体中的大致均匀分布。 第二种材料可以包括不大于约325目的粒度的粉末。