公开(公告)号：US20070028629A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11449397

申请日：2006-06-08

申请人： Gunter Klemm ,  Marcus Bender ,  Ulrich Englert ,  Andreas Kloppel ,  Uwe Hoffmann ,  Hans-Georg Lotz ,  Stefan Hein ,  Stefan Keller

发明人： Gunter Klemm ,  Marcus Bender ,  Ulrich Englert ,  Andreas Kloppel ,  Uwe Hoffmann ,  Hans-Georg Lotz ,  Stefan Hein ,  Stefan Keller

IPC分类号： F25C1/00

CPC分类号： H05B3/60 ,  C23C14/246

摘要： The invention relates to an evaporator arrangement with a crucible, wherein the crucible is divided into at least two zones, each of which is heated to different temperatures. The first zone is a melt-down zone and the second zone the evaporation zone proper. The evaporator arrangement is preferably for the evaporation of metals. If metals are evaporated, a metal wire is preferably guided into the melt-down zone. However, metal alloys can also be evaporated thereby that one or several metal wires comprised of different materials are guided into the melt-down zone. Between the melt-down zone and the evaporator zone a heating zone may be provided.

摘要翻译： 本发明涉及一种具有坩埚的蒸发器装置，其中坩埚被分成至少两个区域，每个区域被加热到不同的温度。 第一区是熔化区，第二区是蒸发区。 蒸发器装置优选用于金属的蒸发。 如果金属蒸发，金属丝优选被引导到熔化区。 然而，也可以蒸发金属合金，从而将由不同材料组成的一根或多根金属丝导入熔化区。 在熔化区和蒸发区之间，可以设置加热区。

公开(公告)号：US20050175862A1

公开(公告)日：2005-08-11

申请号：US10986597

申请日：2004-11-11

申请人： Andreas Kloppel ,  Jutta Trube

发明人： Andreas Kloppel ,  Jutta Trube

IPC分类号： H01L51/50 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H05B33/28 ,  B32B9/00

CPC分类号： H01L31/1884 ,  C23C14/086 ,  H01L31/022475 ,  H01L51/5206 ,  H01L2251/55 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/265

摘要： A process for the deposition of transparent and conductive indium-tin oxide (ITO) films with a particularly low resistance of preferably less than 200 μΩcm and a small surface roughness of preferably less than 1 nm on a substrate, wherein combined BF/DC sputtering of an indium-tin oxide (ITO) target is employed and wherein the process gas is supplemented by an argon/hydrogen mixture as reaction gas during the sputtering, as well as ITO-films with the above-named characteristics.

摘要翻译： 一种用于沉积透明导电铟锡氧化物（ITO）膜的方法，其特征在于在衬底上具有特别低的电阻，优选小于200微米，并且表面粗糙度优选小于1nm，其中组合的BF / DC溅射 使用铟锡氧化物（ITO）靶，其中在溅射期间，工艺气体由氩/氢混合物作为反应气体补充，以及具有上述特征的ITO膜。