公开(公告)号：US20160141492A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：US14898503

申请日：2013-07-31

Applicant: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.

Inventor： Xia Sheng ,  Xuema Li ,  Sity Lam

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/085 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/142 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1691

Abstract: An example of the memristor includes a bottom electrode, a switchable material positioned on the bottom electrode, and a cured negative or positive resist that forms an interlayer dielectric positioned on the switchable material. An open area is formed in the interlayer dielectric. The open area exposes a surface of the switchable material. A top electrode is positioned in contact with the exposed surface of the switchable material at the open area.

Abstract translation: 忆阻器的示例包括底部电极，位于底部电极上的可切换材料以及形成位于可切换材料上的层间电介质的固化的负极或正性抗蚀剂。 在层间电介质中形成开放区域。 开放区域露出可切换材料的表面。 顶部电极定位成与开放区域处的可切换材料的暴露表面接触。