公开(公告)号：US07432191B1

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：US11694623

申请日：2007-03-30

申请人： Harlan D. Stamper ,  Shannon W. Dunn ,  Sandra Hyland

发明人： Harlan D. Stamper ,  Shannon W. Dunn ,  Sandra Hyland

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/76811

摘要： A method of patterning a structure in a thin film on a substrate is described. A film stack on the substrate includes the thin film on the substrate, a developable anti-reflective coating (ARC) layer on the thin film, and a first photo-resist layer on the developable ARC layer. The first photo-resist layer and the developable ARC layer are imaged with a first image pattern and developed to form the first image pattern in the first photo-resist layer and the developable ARC layer. Thereafter, the first photo-resist layer is removed, and the developable ARC layer is modified by thermal treatment. A second photo-resist layer is then formed on the modified ARC layer, and the second photo-resist layer is imaged with a second image pattern and developed to form the second image pattern in the second photo-resist layer. The first and second image patterns are then transferred to the thin film.

摘要翻译： 描述了在基板上薄膜中的结构图案化的方法。 基板上的薄膜叠层包括基板上的薄膜，薄膜上的显影性抗反射涂层（ARC）层，以及可显影ARC层上的第一光致抗蚀剂层。 用第一图像图案对第一光刻胶层和可显影ARC层进行成像，并显影以在第一光致抗蚀剂层和可显影ARC层中形成第一图像图案。 此后，除去第一光致抗蚀剂层，通过热处理改性可显影ARC层。 然后在修改的ARC层上形成第二光致抗蚀剂层，并且用第二图像图案对第二光致抗蚀剂层进行成像，并显影以在第二光致抗蚀剂层中形成第二图像图案。 然后将第一和第二图像图案转移到薄膜。