公开(公告)号：US07432191B1

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：US11694623

申请日：2007-03-30

申请人： Harlan D. Stamper ,  Shannon W. Dunn ,  Sandra Hyland

发明人： Harlan D. Stamper ,  Shannon W. Dunn ,  Sandra Hyland

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/76811

摘要： A method of patterning a structure in a thin film on a substrate is described. A film stack on the substrate includes the thin film on the substrate, a developable anti-reflective coating (ARC) layer on the thin film, and a first photo-resist layer on the developable ARC layer. The first photo-resist layer and the developable ARC layer are imaged with a first image pattern and developed to form the first image pattern in the first photo-resist layer and the developable ARC layer. Thereafter, the first photo-resist layer is removed, and the developable ARC layer is modified by thermal treatment. A second photo-resist layer is then formed on the modified ARC layer, and the second photo-resist layer is imaged with a second image pattern and developed to form the second image pattern in the second photo-resist layer. The first and second image patterns are then transferred to the thin film.

摘要翻译： 描述了在基板上薄膜中的结构图案化的方法。 基板上的薄膜叠层包括基板上的薄膜，薄膜上的显影性抗反射涂层（ARC）层，以及可显影ARC层上的第一光致抗蚀剂层。 用第一图像图案对第一光刻胶层和可显影ARC层进行成像，并显影以在第一光致抗蚀剂层和可显影ARC层中形成第一图像图案。 此后，除去第一光致抗蚀剂层，通过热处理改性可显影ARC层。 然后在修改的ARC层上形成第二光致抗蚀剂层，并且用第二图像图案对第二光致抗蚀剂层进行成像，并显影以在第二光致抗蚀剂层中形成第二图像图案。 然后将第一和第二图像图案转移到薄膜。

公开(公告)号：US20080241763A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11694623

申请日：2007-03-30

申请人： Harlan Stamper ,  Shannon W. Dunn ,  Sandra Hyland

发明人： Harlan Stamper ,  Shannon W. Dunn ,  Sandra Hyland

IPC分类号： G03C5/00

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/76811

摘要： A method of patterning a structure in a thin film on a substrate is described. A film stack on the substrate includes the thin film on the substrate, a developable anti-reflective coating (ARC) layer on the thin film, and a first photo-resist layer on the developable ARC layer. The first photo-resist layer and the developable ARC layer are imaged with a first image pattern and developed to form the first image pattern in the first photo-resist layer and the developable ARC layer. Thereafter, the first photo-resist layer is removed, and the developable ARC layer is modified by thermal treatment. A second photo-resist layer is then formed on the modified ARC layer, and the second photo-resist layer is imaged with a second image pattern and developed to form the second image pattern in the second photo-resist layer. The first and second image patterns are then transferred to the thin film.

摘要翻译： 描述了在基板上薄膜中的结构图案化的方法。 基板上的薄膜叠层包括基板上的薄膜，薄膜上的显影性抗反射涂层（ARC）层，以及可显影ARC层上的第一光致抗蚀剂层。 用第一图像图案对第一光刻胶层和可显影ARC层进行成像，并显影以在第一光致抗蚀剂层和可显影ARC层中形成第一图像图案。 此后，除去第一光致抗蚀剂层，通过热处理改性可显影ARC层。 然后在修改的ARC层上形成第二光致抗蚀剂层，并且用第二图像图案对第二光致抗蚀剂层进行成像，并显影以在第二光致抗蚀剂层中形成第二图像图案。 然后将第一和第二图像图案转移到薄膜。

公开(公告)号：US07883835B2

公开(公告)日：2011-02-08

申请号：US11534538

申请日：2006-09-22

申请人： Sandra L. Hyland ,  Shannon W. Dunn

发明人： Sandra L. Hyland ,  Shannon W. Dunn

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： H01L21/0276

摘要： A method of double patterning a thin film is described. The method comprises forming a thin film to be patterned on a substrate, forming an anti-reflective coating (ARC) layer on the thin film, and forming a mask layer on the ARC layer. Thereafter, the mask layer is patterned to form a first pattern and a second pattern therein, and the first and second patterns are partially transferred to the ARC layer using a transfer process, such as an etching process or a developing process. Once the mask layer is removed, the first pattern and second patterns are completely transferred to the ARC layer using an etching process, and the first and second patterns in the ARC layer are transferred to the underlying thin film using another etching process.

摘要翻译： 描述了薄膜双重图案化的方法。 该方法包括在衬底上形成待图案化的薄膜，在薄膜上形成抗反射涂层（ARC）层，并在ARC层上形成掩模层。 此后，将掩模层图案化以在其中形成第一图案和第二图案，并且使用诸如蚀刻工艺或显影工艺的转印工艺将第一图案和第二图案部分转印到ARC层。 一旦去除了掩模层，则使用蚀刻工艺将第一图案和第二图案完全转印到ARC层，并且使用另一蚀刻工艺将ARC层中的第一和第二图案转移到下面的薄膜。

公开(公告)号：US20080076074A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11534365

申请日：2006-09-22

申请人： Shannon W. Dunn

发明人： Shannon W. Dunn

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： H01L21/0276 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0338

摘要： A method for double patterning a thin film on a substrate is described. The method includes forming the thin film to be patterned on the substrate, forming a developable anti-reflective coating (ARC) layer on the thin film, and forming a layer of photo-resist on the ARC layer. Thereafter, the layer of photo-resist and the ARC layer are imaged with a first image pattern, and developed, thus forming the first image pattern in the ARC layer. The photo-resist is removed and another layer of photo-resist is formed on the ARC layer. Thereafter, the other layer of photo-resist and the ARC layer are imaged with a second image pattern, and developed, thus forming the second image pattern in the ARC layer. The other photo-resist layer is removed and a double patterned ARC layer remains for etching the underlying thin film.

摘要翻译： 描述了用于在基板上双重图案化薄膜的方法。 该方法包括在衬底上形成待图案化的薄膜，在薄膜上形成可显影的抗反射涂层（ARC）层，并在ARC层上形成一层光致抗蚀剂。 此后，用第一图像图案对抗蚀剂层和ARC层进行成像，并显影，从而在ARC层中形成第一图像图案。 去除光致抗蚀剂，在ARC层上形成另一层光刻胶。 此后，另一层光致抗蚀剂和ARC层以第二图像图案成像，并显影，从而在ARC层中形成第二图像图案。 去除另一光致抗蚀剂层，并且保留用于蚀刻下面的薄膜的双重图案化的ARC层。

公开(公告)号：US08764999B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13158899

申请日：2011-06-13

申请人： Shannon W. Dunn ,  Dave Hetzer

发明人： Shannon W. Dunn ,  Dave Hetzer

IPC分类号： B44C1/22 ,  H01L21/302 ,  G03F7/40 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033

CPC分类号： H01L21/0337 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0274 ,  Y10S438/947 ,  Y10S438/948 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/24612

摘要： A method for patterning a substrate is described. The patterning method may include performing a lithographic process to produce a pattern and a critical dimension (CD) slimming process to reduce a CD in the pattern to a reduced CD. Thereafter, the pattern is doubled to produce a double pattern using a sidewall image transfer technique.

摘要翻译： 描述了用于图案化衬底的方法。 图案化方法可以包括执行光刻处理以产生图案和临界尺寸（CD）减肥过程，以将图案中的CD减少到缩小的CD。 此后，使用侧壁图像转印技术将图案加倍以产生双重图案。

公开(公告)号：US08647817B2

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：US13342313

申请日：2012-01-03

申请人： Shannon W. Dunn ,  Dave Hetzer

发明人： Shannon W. Dunn ,  Dave Hetzer

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/405 ,  G03F7/0035

摘要： A method for patterning a substrate is described. The method includes forming a layer of radiation-sensitive material on a substrate, and preparing a pattern in the layer of radiation-sensitive material using a lithographic process, wherein the pattern is characterized by a critical dimension (CD) and a roughness. Following the preparation of the pattern in the layer of radiation-sensitive material, the method further includes performing a CD slimming process to reduce the CD to a reduced CD, and performing a vapor smoothing process to reduce the roughness to a reduced roughness.

摘要翻译： 描述了用于图案化衬底的方法。 该方法包括在衬底上形成辐射敏感材料层，以及使用光刻工艺在辐射敏感材料层中制备图案，其中图案的特征在于临界尺寸（CD）和粗糙度。 在制备辐射敏感材料层中的图案之后，该方法还包括进行CD缩小过程以将CD减少到减少的CD，并进行蒸汽平滑处理以将粗糙度减小到降低的粗糙度。

公开(公告)号：US08940475B2

公开(公告)日：2015-01-27

申请号：US13158868

申请日：2011-06-13

申请人： Shannon W. Dunn ,  Dave Hetzer

发明人： Shannon W. Dunn ,  Dave Hetzer

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F7/40

CPC分类号： H01L21/0337 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0274 ,  Y10S438/947 ,  Y10S438/948 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/24612

摘要： A method for double patterning a substrate is described. The double patterning method may include a litho/freeze/litho/etch (LFLE) technique that includes a first (critical dimension) CD slimming process to reduce the first CD to a first reduced CD and a second CD slimming process to reduce the second CD to a second reduced CD.

摘要翻译： 描述了用于基板的双重图案化的方法。 双重图案化方法可以包括光刻/冻结/光刻/蚀刻（LFLE）技术，其包括将第一CD减少到第一缩小CD的第一（关键尺寸）CD减肥过程，以及减少第二CD的第二CD减肥过程 到第二张CD。

公开(公告)号：US08389206B2

公开(公告)日：2013-03-05

申请号：US12564738

申请日：2009-09-22

申请人： Shannon W. Dunn ,  Shinichiro Kawakami ,  Dave Hetzer

发明人： Shannon W. Dunn ,  Shinichiro Kawakami ,  Dave Hetzer

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/405 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/0273

摘要： A method for patterning a substrate is described. The method comprises forming a layer of radiation-sensitive material on the substrate, preparing a pattern in the layer of radiation-sensitive material, and applying a chemical freeze layer over the layer of radiation-sensitive material to form a frozen layer of radiation-sensitive material. Thereafter, the method comprises stripping the chemical freeze layer using a high normality strip solution to preserve the pattern in the frozen layer of radiation-sensitive material, wherein the high normality strip solution contains an active solute having a normality (N) greater than 0.26.

摘要翻译： 描述了用于图案化衬底的方法。 该方法包括在衬底上形成辐射敏感材料层，在辐射敏感材料层中制备图案，并在辐射敏感材料层上施加化学冻结层以形成辐射敏感材料的冷冻层 材料。 此后，该方法包括使用高正常条带溶液剥离化学冻结层以保留辐射敏感材料的冷冻层中的图案，其中高正常条带溶液含有正态（N）大于0.26的活性溶质。

公开(公告)号：US20080076073A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11534261

申请日：2006-09-22

申请人： Shannon W. Dunn

发明人： Shannon W. Dunn

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/2022 ,  H01L21/0276

摘要： A method for double patterning a thin film on a substrate is described. The method includes forming the thin film to be patterned on the substrate, forming a developable anti-reflective coating (ARC) layer on the thin film, and forming a layer of photo-resist on the ARC layer. Thereafter, the layer of photo-resist and the ARC layer are double imaged, and developed. Once the layer of photo-resist is optionally removed, a double patterned ARC layer remains for etching the underlying thin film.

摘要翻译： 描述了用于在基板上双重图案化薄膜的方法。 该方法包括在衬底上形成待图案化的薄膜，在薄膜上形成可显影的抗反射涂层（ARC）层，并在ARC层上形成一层光致抗蚀剂。 此后，将光致抗蚀剂层和ARC层双重成像并显影。 一旦可选地去除了光致抗蚀剂层，则保留用于蚀刻下面的薄膜的双重图案化的ARC层。

公开(公告)号：US08507190B2

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：US12851032

申请日：2010-08-05

申请人： Shannon W. Dunn

发明人： Shannon W. Dunn

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/405 ,  G03F9/7076

摘要： A method for image pattern recognition in a multi-image patterning scheme is described. The method includes forming a first feature pattern on a substrate using a lithographic process, and forming a second feature pattern on the substrate using the lithographic process. The method further includes forming an inspection alignment mark on the substrate to distinguish the first feature pattern from the second feature pattern. The inspection alignment mark comprises a negative tone pattern having a first alignment structure aligned with at least a portion of the first feature pattern and a second alignment structure aligned with at least a portion of the second feature pattern, wherein the first alignment structure is independent from the second alignment structure.

摘要翻译： 描述了一种用于多图像图案化方案中的图像图案识别的方法。 该方法包括使用光刻工艺在衬底上形成第一特征图案，以及使用光刻工艺在衬底上形成第二特征图案。 该方法还包括在衬底上形成检查对准标记，以将第一特征图案与第二特征图案区分开。 检查对准标记包括具有与第一特征图案的至少一部分对准的第一对准结构的负色调图案和与第二特征图案的至少一部分对准的第二对准结构，其中第一对准结构独立于 第二对准结构。