公开(公告)号：US07723237B2

公开(公告)日：2010-05-25

申请号：US11611611

申请日：2006-12-15

申请人： Sandra Hyland ,  Ian J. Brown ,  Yannick Feurprier

发明人： Sandra Hyland ,  Ian J. Brown ,  Yannick Feurprier

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

摘要： A method for removing a damaged low dielectric constant material following an etch process, an ashing process, or a wet cleaning process is described. A dry, non-plasma removal process is implemented to remove a thin layer of damaged material on a feature following formation of the feature. The dry, non-plasma removal process comprises a chemical treatment of the damaged material, followed by a thermal treatment of the chemically treated surface layer. The two steps, chemical and thermal treatment, can be repeated.

摘要翻译： 描述了在蚀刻工艺，灰化处理或湿式清洁工艺之后去除损坏的低介电常数材料的方法。 实施干燥的非等离子体去除工艺以在特征形成之后去除特征上的薄层损伤材料。 干燥的非等离子体去除方法包括对损坏的材料进行化学处理，然后对化学处理的表面层进行热处理。 化学和热处理两个步骤可以重复。

公开(公告)号：US06376262B1

公开(公告)日：2002-04-23

申请号：US09872636

申请日：2001-05-31

申请人： Danielle Ki'ilani Kempa ,  Sandra Hyland

发明人： Danielle Ki'ilani Kempa ,  Sandra Hyland

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L29/6659 ,  H01L22/26 ,  H01L29/6656

摘要： An optical endpoint system controls the overetching of a semiconductor device by using double optical endpoint detection. With a complex spacer, the system monitors the chemistry change at both the top TEOS/nitride interface and the bottom nitride/TEOS interface. This double optical endpoint method reduces the possibility of overetching the layers regardless of the variations in the thickness of the incoming film or the etching characteristics of the etch chamber.

摘要翻译： 光学终端系统通过使用双光端点检测来控制半导体器件的过蚀刻。 使用复杂的间隔物，系统监测顶部TEOS /氮化物界面和底部氮化物/ TEOS界面处的化学变化。 这种双重光学终点法减少了蚀刻层的可能性，而不管入射膜的厚度的变化或蚀刻室的蚀刻特性如何。

公开(公告)号：US20120199288A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13451685

申请日：2012-04-20

申请人： John A. HUGHES ,  Sandra HYLAND ,  Ralph KIM

发明人： John A. HUGHES ,  Sandra HYLAND ,  Ralph KIM

IPC分类号： H01L21/3065 ,  B32B27/34 ,  B32B27/18 ,  B32B5/18 ,  C23C16/50 ,  B32B1/08

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01J37/3244 ,  Y10T428/1352 ,  Y10T428/1372 ,  Y10T428/1376

摘要： A method and system of for introducing an active material to a chemical process in which a processing element including a passive component and an active element is installed within the system and exposed to a chemical process performed within the system. As the chemical process proceeds, the passive component erodes and thereby exposes the active component embedded therein. The introduction of the active component to the chemical process alters the chemical process.

摘要翻译： 一种用于将活性材料引入到化学过程中的方法和系统，其中包括无源部件和有源元件的处理元件安装在系统内并暴露于在系统内执行的化学过程。 随着化学过程的进行，被动元件侵蚀并从而暴露嵌入其中的有源元件。 化学工艺中的活性成分的引入改变了化学过程。

公开(公告)号：US07461614B2

公开(公告)日：2008-12-09

申请号：US10705224

申请日：2003-11-12

申请人： Steven T Fink ,  Eric J Strang ,  Arthur H Laflamme, Jr. ,  Jay Wallace ,  Sandra Hyland

发明人： Steven T Fink ,  Eric J Strang ,  Arthur H Laflamme, Jr. ,  Jay Wallace ,  Sandra Hyland

IPC分类号： C23C4/10 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01J37/32633 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/67069

摘要： A baffle plate assembly, configured to be coupled to a substrate holder in a plasma processing system, comprises a baffle plate having one or more openings to permit the passage of gas there through, wherein the coupling of the baffle plate to the substrate holder facilitates auto-centering of the baffle plate in the plasma processing system. For example, a centering ring mounted in the substrate holder can comprise a centering feature configured to couple with a mating feature on the baffle plate. After initial assembly of the plasma processing system, the baffle plate can be replaced and centered within the plasma processing system without disassembly and re-assembly of the substrate holder.

摘要翻译： 构造成在等离子体处理系统中耦合到衬底保持器的挡板组件包括具有一个或多个开口以允许气体在其中通过的挡板，其中挡板与衬底保持器的联接有利于自动 - 等离子体处理系统中的挡板的重心。 例如，安装在基板保持器中的定心环可以包括配置成与挡板上的配合特征联接的定心特征。 在初始组装等离子体处理系统之后，挡板可以在等离子体处理系统内更换并居中，而不会拆卸和重新组装衬底支架。

公开(公告)号：US20080241763A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11694623

申请日：2007-03-30

申请人： Harlan Stamper ,  Shannon W. Dunn ,  Sandra Hyland

发明人： Harlan Stamper ,  Shannon W. Dunn ,  Sandra Hyland

IPC分类号： G03C5/00

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/76811

摘要： A method of patterning a structure in a thin film on a substrate is described. A film stack on the substrate includes the thin film on the substrate, a developable anti-reflective coating (ARC) layer on the thin film, and a first photo-resist layer on the developable ARC layer. The first photo-resist layer and the developable ARC layer are imaged with a first image pattern and developed to form the first image pattern in the first photo-resist layer and the developable ARC layer. Thereafter, the first photo-resist layer is removed, and the developable ARC layer is modified by thermal treatment. A second photo-resist layer is then formed on the modified ARC layer, and the second photo-resist layer is imaged with a second image pattern and developed to form the second image pattern in the second photo-resist layer. The first and second image patterns are then transferred to the thin film.

摘要翻译： 描述了在基板上薄膜中的结构图案化的方法。 基板上的薄膜叠层包括基板上的薄膜，薄膜上的显影性抗反射涂层（ARC）层，以及可显影ARC层上的第一光致抗蚀剂层。 用第一图像图案对第一光刻胶层和可显影ARC层进行成像，并显影以在第一光致抗蚀剂层和可显影ARC层中形成第一图像图案。 此后，除去第一光致抗蚀剂层，通过热处理改性可显影ARC层。 然后在修改的ARC层上形成第二光致抗蚀剂层，并且用第二图像图案对第二光致抗蚀剂层进行成像，并显影以在第二光致抗蚀剂层中形成第二图像图案。 然后将第一和第二图像图案转移到薄膜。

公开(公告)号：US20080142988A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11611611

申请日：2006-12-15

申请人： Sandra Hyland ,  Ian J. Brown ,  Yannick Feurprier

发明人： Sandra Hyland ,  Ian J. Brown ,  Yannick Feurprier

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

摘要： A method for removing a damaged low dielectric constant material following an etch process, an ashing process, or a wet cleaning process is described. A dry, non-plasma removal process is implemented to remove a thin layer of damaged material on a feature following formation of the feature. The dry, non-plasma removal process comprises a chemical treatment of the damaged material, followed by a thermal treatment of the chemically treated surface layer. The two steps, chemical and thermal treatment, can be repeated.

摘要翻译： 描述了在蚀刻工艺，灰化处理或湿式清洁工艺之后去除损坏的低介电常数材料的方法。 实施干燥的非等离子体去除工艺以在特征形成之后去除特征上的薄层损伤材料。 干燥的非等离子体去除方法包括对损坏的材料进行化学处理，然后对化学处理的表面层进行热处理。 化学和热处理两个步骤可以重复。

公开(公告)号：US20050098265A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10705224

申请日：2003-11-12

申请人： Steven Fink ,  Eric Strang ,  Arthur Laflamme ,  Jay Wallace ,  Sandra Hyland

发明人： Steven Fink ,  Eric Strang ,  Arthur Laflamme ,  Jay Wallace ,  Sandra Hyland

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01J37/32633 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/67069

摘要： A baffle plate assembly, configured to be coupled to a substrate holder in a plasma processing system, comprises a baffle plate having one or more openings to permit the passage of gas there through, wherein the coupling of the baffle plate to the substrate holder facilitates auto-centering of the baffle plate in the plasma processing system. For example, a centering ring mounted in the substrate holder can comprise a centering feature configured to couple with a mating feature on the baffle plate. After initial assembly of the plasma processing system, the baffle plate can be replaced and centered within the plasma processing system without disassembly and re-assembly of the substrate holder.

摘要翻译： 构造成在等离子体处理系统中耦合到衬底保持器的挡板组件包括具有一个或多个开口以允许气体在其中通过的挡板，其中挡板与衬底保持器的联接有利于自动 - 等离子体处理系统中的挡板的重心。 例如，安装在基板保持器中的定心环可以包括配置成与挡板上的配合特征联接的定心特征。 在初始组装等离子体处理系统之后，挡板可以在等离子体处理系统内更换并居中，而不会拆卸和重新组装衬底支架。

公开(公告)号：US08580075B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13451685

申请日：2012-04-20

申请人： John A. Hughes ,  Sandra Hyland ,  Ralph Kim

发明人： John A. Hughes ,  Sandra Hyland ,  Ralph Kim

IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01J37/3244 ,  Y10T428/1352 ,  Y10T428/1372 ,  Y10T428/1376

摘要： A method and system of for introducing an active material to a chemical process in which a processing element including a passive component and an active element is installed within the system and exposed to a chemical process performed within the system. As the chemical process proceeds, the passive component erodes and thereby exposes the active component embedded therein. The introduction of the active component to the chemical process alters the chemical process.

摘要翻译： 一种用于将活性材料引入到化学过程中的方法和系统，其中包括无源部件和有源元件的处理元件安装在系统内并暴露于在系统内执行的化学过程。 随着化学过程的进行，被动元件侵蚀并从而暴露嵌入其中的有源元件。 化学工艺中的活性成分的引入改变了化学过程。

公开(公告)号：US07432191B1

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：US11694623

申请日：2007-03-30

申请人： Harlan D. Stamper ,  Shannon W. Dunn ,  Sandra Hyland

发明人： Harlan D. Stamper ,  Shannon W. Dunn ,  Sandra Hyland

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/76811

摘要： A method of patterning a structure in a thin film on a substrate is described. A film stack on the substrate includes the thin film on the substrate, a developable anti-reflective coating (ARC) layer on the thin film, and a first photo-resist layer on the developable ARC layer. The first photo-resist layer and the developable ARC layer are imaged with a first image pattern and developed to form the first image pattern in the first photo-resist layer and the developable ARC layer. Thereafter, the first photo-resist layer is removed, and the developable ARC layer is modified by thermal treatment. A second photo-resist layer is then formed on the modified ARC layer, and the second photo-resist layer is imaged with a second image pattern and developed to form the second image pattern in the second photo-resist layer. The first and second image patterns are then transferred to the thin film.

摘要翻译： 描述了在基板上薄膜中的结构图案化的方法。 基板上的薄膜叠层包括基板上的薄膜，薄膜上的显影性抗反射涂层（ARC）层，以及可显影ARC层上的第一光致抗蚀剂层。 用第一图像图案对第一光刻胶层和可显影ARC层进行成像，并显影以在第一光致抗蚀剂层和可显影ARC层中形成第一图像图案。 此后，除去第一光致抗蚀剂层，通过热处理改性可显影ARC层。 然后在修改的ARC层上形成第二光致抗蚀剂层，并且用第二图像图案对第二光致抗蚀剂层进行成像，并显影以在第二光致抗蚀剂层中形成第二图像图案。 然后将第一和第二图像图案转移到薄膜。

公开(公告)号：US07226868B2

公开(公告)日：2007-06-05

申请号：US10492541

申请日：2002-10-31

申请人： Aelan Mosden ,  Sandra Hyland ,  Minori Kajimoto

发明人： Aelan Mosden ,  Sandra Hyland ,  Minori Kajimoto

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065

摘要： A plasma processing system for and method of utilizing an improved etch chemistry for effectively etching high aspect ratio silicon features. The process chemistry employs precursor gases suitable for producing a fluorine/chlorine etch chemistry as well as precursor gases suitable for forming chemical bonds of sufficient strength to create stable feature side-walls. The improved process chemistries include SO2/SF4/SiCl4, SO2/SF4/Cl2, SO2/SiF4/SiCl4, SO2SIF4/Cl2, O2/F2/Cl2, N2 O/F2/Cl2, and NO2/F2/Cl2-based chemistries.

摘要翻译： 一种等离子体处理系统以及利用改进的蚀刻化学品来有效地蚀刻高纵横比硅特征的方法。 工艺化学使用适用于生产氟/氯蚀刻化学品的前体气体，以及适于形成足够强度的化学键的前体气体，以产生稳定的特征侧壁。 改进的工艺化学物质包括SO 2 SO 3 / SF 4 / SiCl 4，SO 2 / SF 4 2/2/2/2 / SiF 4 / SiCl 4，SO 2 2/3/2/2/2/2/2/2 的化学物质。