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    Method to Minimize MTJ Sidewall Damage and Bottom Electrode Redeposition Using IBE Trimming
    2.
    发明申请
    Method to Minimize MTJ Sidewall Damage and Bottom Electrode Redeposition Using IBE Trimming 有权
    使用IBE修剪最小化MTJ侧壁损伤和底部电极重新沉积的方法

    公开(公告)号：US20170069834A1

    公开(公告)日：2017-03-09

    申请号：US14848378

    申请日：2015-09-09

    申请人： Headway Technologies, Inc.

    发明人： Rao Annapragada ,  Yu-Jen Wang ,  Dongna Shen

    IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02

    CPC分类号： H01L41/47 ,  H01F41/308 ,  H01L27/224 ,  H01L41/06 ,  H01L41/12 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

    摘要： An improved method for etching a magnetic tunneling junction (MTJ) structure is achieved. A stack of MTJ layers is provided on a bottom electrode. The MTJ stack is patterned to form a MTJ device wherein sidewall damage or sidewall redeposition is formed on sidewalls of the MTJ device. A dielectric layer is deposited on the MTJ device and the bottom electrode. The dielectric layer is etched away using ion beam etching at an angle relative to vertical of greater than 50 degrees wherein the dielectric layer on the sidewalls is etched away and wherein sidewall damage or sidewall redeposition is also removed and wherein some of the dielectric layer remains on horizontal surfaces of the bottom electrode.

    摘要翻译： 实现了一种用于蚀刻磁隧道结（MTJ）结构的改进方法。 在底部电极上设置一堆MTJ层。 图案化MTJ堆叠以形成MTJ装置，其中侧壁损伤或侧壁再沉积形成在MTJ装置的侧壁上。 电介质层沉积在MTJ器件和底部电极上。 使用离子束蚀刻以相对于大于50度的垂直方向的角度蚀刻电介质层，其中侧壁上的电介质层被蚀刻掉，并且其中侧壁损伤或侧壁再沉积也被去除，并且其中一些电介质层保持在 底部电极的水平表面。