公开(公告)号：US06638598B2

公开(公告)日：2003-10-28

申请号：US09790554

申请日：2001-02-23

申请人： Helmut Kinder ,  Markus Bauer ,  Joachim Schwachulla

发明人： Helmut Kinder ,  Markus Bauer ,  Joachim Schwachulla

IPC分类号： B32B310

CPC分类号： C23C14/226 ,  C23C14/22 ,  H01L39/2461 ,  Y10S505/732 ,  Y10T428/24273 ,  Y10T428/24355

摘要： A laminate includes an amorphous or polycrystalline substrate; a textured buffer layer arranged on the substrate and having a columnar structure wherein a low index crystal axis is inclined with respect to the substrate normal and a surface of columnar crystallites is inclined with respect to the low index crystal axis; at least one cover layer arranged on the buffer layer and having a closed surface; and an oriented thin layer.

摘要翻译： 层压体包括非晶或多晶衬底; 布置在基板上的具有柱状结构的纹理缓冲层，其中低折射率晶轴相对于基板法线倾斜，并且柱状微晶表面相对于低折射率晶轴倾斜; 布置在所述缓冲层上并具有封闭表面的至少一个覆盖层; 和取向薄层。

公开(公告)号：US06265353B1

公开(公告)日：2001-07-24

申请号：US09117878

申请日：1999-04-12

申请人： Helmut Kinder ,  Markus Bauer ,  Joachim Schwachulla

发明人： Helmut Kinder ,  Markus Bauer ,  Joachim Schwachulla

IPC分类号： B05D512

CPC分类号： C23C14/226 ,  C23C14/22 ,  H01L39/2461 ,  Y10S505/732 ,  Y10T428/24273 ,  Y10T428/24355

摘要： In a method for producing laminate, a buffer layer is applied to a substrate, with the buffer layer material being evaporated from the buffer layer material dispensing devices at an angle &agr;1≠0 at the normal to the substrate surface onto the latter, before an oriented thin layer is evaporated. According to the invention, provision is made such that (a) following evaporation of the buffer layer and prior to the evaporation of the oriented thin layer, at least one cover layer is evaporated under deposition conditions that vary from those under which the buffer layer was applied, especially at a different pressure, different temperature, different rate, and/or different angle &agr;2≠&agr;1, especially &agr;2

摘要翻译： 在制造层压体的方法中，将缓冲层施加到基板上，缓冲层材料从缓冲层材料分配装置以与基板表面垂直的α1<0°的角度蒸发到其上，在 取向的薄层蒸发。 根据本发明，提供以下步骤：（a）缓冲层的蒸发之后，在取向薄层蒸发之前，至少一层覆盖层在与缓冲层为 特别是在不同的压力，不同的温度，不同的速率和/或不同的角度α2α1，特别是与衬底表面法线的α2α，优选α2≈0°的情况下，和/或在缓冲层上蒸发 使得缓冲层具有双轴纹理和/或刻面的方式。