公开(公告)号：US06605821B1

公开(公告)日：2003-08-12

申请号：US10142494

申请日：2002-05-10

申请人： Heon Lee ,  Dennis Lazaroff ,  Neal Meyer ,  Jim Ellenson ,  Ken Kramer ,  Kurt Ulmer ,  David Pursalan ,  Peter Fricke ,  Andrew Koll ,  Andy Van Brockin

发明人： Heon Lee ,  Dennis Lazaroff ,  Neal Meyer ,  Jim Ellenson ,  Ken Kramer ,  Kurt Ulmer ,  David Pursalan ,  Peter Fricke ,  Andrew Koll ,  Andy Van Brockin

IPC分类号： H01L2902

CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/90

摘要： The invention includes an electronic memory structure. The electronic memory structure includes a substrate. A substantially planar first conductor is formed adjacent to the substrate. An interconnection layer is formed adjacent to the first conductor. A phase change material element is formed adjacent to the interconnection layer. The interconnection layer includes a conductive interconnect structure extending from the first conductor to the phase change material element. The interconnect structure includes a first surface physically connected to the first conductor. The interconnect structure further includes a second surface attached to the phase change material element. The second surface area of the second surface is substantially smaller than a first surface area of the first surface. A substantially planar second conductor is formed adjacent to the phase change material element.

摘要翻译： 本发明包括电子存储器结构。 电子存储器结构包括基板。 基本上平面的第一导体形成为与基板相邻。 互连层与第一导体相邻地形成。 在互连层附近形成相变材料元件。 互连层包括从第一导体延伸到相变材料元件的导电互连结构。 互连结构包括物理地连接到第一导体的第一表面。 互连结构还包括附接到相变材料元件的第二表面。 第二表面的第二表面积基本上小于第一表面的第一表面积。 形成与相变材料元件相邻的基本平坦的第二导体。