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    Semiconductor devices having multiple memories
    1.
    发明授权
    Semiconductor devices having multiple memories 有权
    具有多个存储器的半导体器件

    公开(公告)号：US06647522B1

    公开(公告)日：2003-11-11

    申请号：US09584778

    申请日：2000-06-01

    申请人： Hideaki Nakahara ,  Masahiko Sudo ,  Yasuhiro Kawakami ,  Terumi Yoshimura ,  Kiminori Kato ,  Tetsuya Hiramatsu

    发明人： Hideaki Nakahara ,  Masahiko Sudo ,  Yasuhiro Kawakami ,  Terumi Yoshimura ,  Kiminori Kato ,  Tetsuya Hiramatsu

    IPC分类号： G11C2900

    CPC分类号： G01R31/318558 ,  G01R31/2891 ,  G01R31/318536 ,  G11C29/30 ,  G11C29/48 ,  G11C2029/2602

    摘要： A semiconductor device having multiple memory circuits of varying sizes includes scan test circuitry that enables the memories to be simultaneous loaded with pattern data and tested. A first memory circuit has a first memory, a first address scan chain that receives serial scan-in address data and generates a first address signal, and a first data scan chain that receives serial scan-in data and generates a first data input signal. A second memory circuit has a second memory, a second address scan chain that receives the serial scan-in address data and generates a second address signal, and a second data scan chain that receives the serial scan-in data and generates a second data input signal.

    摘要翻译： 具有不同尺寸的多个存储器电路的半导体器件包括扫描测试电路，其使存储器能够同时加载模式数据并进行测试。 第一存储器电路具有第一存储器，第一地址扫描链，其接收串行扫描地址数据并产生第一地址信号;以及第一数据扫描链，其接收串行扫描数据并产生第一数据输入信号。 第二存储器电路具有第二存储器，第二地址扫描链，其接收串行扫描地址数据并产生第二地址信号;以及第二数据扫描链，其接收串行扫描数据并产生第二数据输入 信号。