公开(公告)号：US20090080488A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：US12237048

申请日：2008-09-24

申请人： Hiroshi HATAKEYAMA ,  Naofumi SUZUKI ,  Kenichiro YASHIKI ,  Takeshi AKAGAWA ,  Takayoshi ANAN ,  Masayoshi TSUJI ,  Kimiyoshi FUKATSU

发明人： Hiroshi HATAKEYAMA ,  Naofumi SUZUKI ,  Kenichiro YASHIKI ,  Takeshi AKAGAWA ,  Takayoshi ANAN ,  Masayoshi TSUJI ,  Kimiyoshi FUKATSU

IPC分类号： H01S5/187 ,  H01S5/18

CPC分类号： H01S5/18369 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18327 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/34306

摘要： A surface emitting laser including a semiconductor substrate, a semiconductor substrate, a first reflector formed on the semiconductor substrate, an active layer formed on the first reflector, a tunnel junction layer formed above a part of the active layer, a semiconductor spacer layer which covers the tunnel junction layer, a second reflector formed on the semiconductor spacer layer in a region above the tunnel junction layer, a first electrode formed in the periphery of the second reflector on the semiconductor spacer layer, and a second electrode electrically connected to a layer lower than the active layer, wherein a layer thickness of the semiconductor spacer layer in the region directly above the tunnel junction layer is thinner than the layer thickness of the semiconductor spacer layer in the region directly below the first electrode.

摘要翻译： 一种表面发射激光器，包括半导体衬底，半导体衬底，形成在半导体衬底上的第一反射器，形成在第一反射器上的有源层，形成在有源层的一部分上方的隧道结层，覆盖 所述隧道结层，在所述隧道结层上方的区域中形成在所述半导体间隔层上的第二反射器，形成在所述半导体间隔层上的所述第二反射器的周围的第一电极，以及电连接到所述第二反射层的下层 有源层，其中在隧道结层的正上方的区域中的半导体间隔层的层厚度比第一电极正下方的区域中的半导体间隔层的层厚度薄。