公开(公告)号：US08797104B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13445955

申请日：2012-04-13

申请人： Hsieh-Hung Hsieh ,  Yi-Hsuan Liu ,  Chiao-Han Lee ,  Tzu-Jin Yeh ,  Chewn-Pu Jou

发明人： Hsieh-Hung Hsieh ,  Yi-Hsuan Liu ,  Chiao-Han Lee ,  Tzu-Jin Yeh ,  Chewn-Pu Jou

IPC分类号： H03F3/14

CPC分类号： H03F1/223 ,  H01L27/0727 ,  H03F3/193 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/492

摘要： A low-noise amplifier includes a first transistor having a gate configured to receive an oscillating input signal and a source coupled to ground. A second transistor has a source coupled to a drain of the first transistor, a gate coupled to a bias voltage, and a drain coupled to an output node. At least one of the first and second transistors includes a floating deep n-well that is coupled to an isolation circuit.

摘要翻译： 低噪声放大器包括具有被配置为接收振荡输入信号的栅极的第一晶体管和耦合到地的源极。 第二晶体管具有耦合到第一晶体管的漏极的源极，耦合到偏置电压的栅极和耦合到输出节点的漏极。 第一和第二晶体管中的至少一个包括耦合到隔离电路的浮动深n阱。