公开(公告)号：US08124522B1

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：US12082496

申请日：2008-04-11

申请人： Hui-Jung Wu ,  Kimberly Shafi ,  Kaushik Chattopadhyay ,  Keith Fox ,  Tom Mountsier ,  Girish Dixit ,  Bart van Schravendijk ,  Elizabeth Apen

发明人： Hui-Jung Wu ,  Kimberly Shafi ,  Kaushik Chattopadhyay ,  Keith Fox ,  Tom Mountsier ,  Girish Dixit ,  Bart van Schravendijk ,  Elizabeth Apen

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53295 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are methods of stabilizing an underlying dielectric diffusion barrier during deposition and ultraviolet (UV) processing of an overlying dielectric layer. Methods include modulating the optical properties reduces the effects of UV radiation on the dielectric diffusion barrier layer. The dielectric diffusion barrier can be made to absorb less UV radiation. A dielectric layer with UV absorbing properties may also be added on top of the diffusion barrier layer so less UV is transmitted. Both methods result in reduced interaction between UV radiation and the dielectric diffusion barrier.

摘要翻译： 提供了在沉积期间稳定底层电介质扩散阻挡层的方法，以及覆盖介电层的紫外线（UV）处理。 方法包括调制光学特性降低了UV辐射对介电扩散阻挡层的影响。 可以使电介质扩散阻挡层吸收较少的UV辐射。 具有UV吸收特性的电介质层也可以添加到扩散阻挡层的顶部，因此传输较少的UV。 两种方法都会降低紫外线辐射与介电扩散阻挡层之间的相互作用。