公开(公告)号：US20080169465A1

公开(公告)日：2008-07-17

申请号：US11957575

申请日：2007-12-17

申请人： Hyoung Soo KO ,  Byung Gook PARK ,  Seung Bum HONG ,  Chul Min PARK ,  Woo Young CHOI ,  Jong Pil KIM ,  Jae Young SONG ,  Sang Wan KIM

发明人： Hyoung Soo KO ,  Byung Gook PARK ,  Seung Bum HONG ,  Chul Min PARK ,  Woo Young CHOI ,  Jong Pil KIM ,  Jae Young SONG ,  Sang Wan KIM

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/78

摘要： A method of manufacturing a probe includes: forming a first slant face of the probe through an anisotropic etching process using a first etching mask pattern formed on a silicon substrate; forming a first semiconductor electrode region; forming a second etching mask pattern in an opposite direction of the first etching mask pattern on the silicon substrate; forming a spacer layer on a side wall of the second etching mask pattern; forming a second slant face of the probe; forming a second semiconductor electrode region; forming a silicon oxide layer pattern on the resulting silicon substrate; forming spacer layers on both side walls of the silicon oxide layer pattern; and etching the silicon substrate to a predetermined depth.

摘要翻译： 探针的制造方法包括：使用形成在硅衬底上的第一蚀刻掩模图案，通过各向异性蚀刻工艺形成探针的第一倾斜面; 形成第一半导体电极区域; 在所述硅衬底上与所述第一蚀刻掩模图案的相反方向形成第二蚀刻掩模图案; 在所述第二蚀刻掩模图案的侧壁上形成间隔层; 形成探针的第二倾斜面; 形成第二半导体电极区域; 在所得硅衬底上形成氧化硅层图案; 在氧化硅层图案的两个侧壁上形成间隔层; 并将硅衬底蚀刻到预定深度。

公开(公告)号：US20080180832A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11851028

申请日：2007-09-06

申请人： Seung Bum HONG ,  Yun Seok Kim ,  Kwang Soo No ,  Sung Hoon Choa ,  Simon Buehlmann ,  Ji Yoon Kim

发明人： Seung Bum HONG ,  Yun Seok Kim ,  Kwang Soo No ,  Sung Hoon Choa ,  Simon Buehlmann ,  Ji Yoon Kim

IPC分类号： G11B21/02

CPC分类号： G11B9/02

摘要： A method of recording bits on a ferroelectric medium using a scanning probe or a small conductive structure and a recording medium thereof, in which bit sizes can be decreased to increase data recording density as well as to reduce losses in reproduction signals. The method includes applying switching voltages to a lower electrode of the ferroelectric medium and the probe so as to write bits while approaching the probe to or bringing the probe into contact with a surface of the ferroelectric medium; and applying a base bias voltage, which is equal or smaller in magnitude and opposite in sign to the switching voltages between the switching voltages to make the probe equipotential with an upper portion of the record medium.

摘要翻译： 使用扫描探针或小导电结构及其记录介质在铁电介质上记录位的方法，其中可以减小比特大小以增加数据记录密度以及减少再现信号中的损失。 该方法包括向铁电介质和探针的下电极施加开关电压，以便在接近探头或使探针与铁电介质的表面接触时写入位; 以及施加基本偏置电压，其大小等于或小于符号相反的开关电压之间的开关电压，以使探针与记录介质的上部等电位。

公开(公告)号：US20080220247A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：US11953096

申请日：2007-12-10

申请人： Seung Bum HONG ,  Simon Buehlmann

发明人： Seung Bum HONG ,  Simon Buehlmann

IPC分类号： B32B9/04 ,  B05D5/12 ,  B32B17/06

CPC分类号： G11B9/02 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/31504

摘要： A ferroelectric medium, a manufacturing method thereof and an information storage device are disclosed. The manufacturing method includes the steps of: forming an electrode layer on a substrate; forming an insulation layer on the electrode; and forming on the insulation layer a ferroelectric layer. Dielectric breakdown does not occur at a high voltage by forming the insulation layer.

摘要翻译： 公开了铁电介质，其制造方法和信息存储装置。 该制造方法包括以下步骤：在基板上形成电极层; 在所述电极上形成绝缘层; 以及在所述绝缘层上形成铁电层。 通过形成绝缘层，在高电压下不会发生介电击穿。