公开(公告)号：US07915109B2

公开(公告)日：2011-03-29

申请号：US11957575

申请日：2007-12-17

申请人： Hyoung Soo Ko ,  Byung Gook Park ,  Seung Bum Hong ,  Chul Min Park ,  Woo Young Choi ,  Jong Pil Kim ,  Jae Young Song ,  Sang Wan Kim

发明人： Hyoung Soo Ko ,  Byung Gook Park ,  Seung Bum Hong ,  Chul Min Park ,  Woo Young Choi ,  Jong Pil Kim ,  Jae Young Song ,  Sang Wan Kim

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/78

摘要： A method of manufacturing a probe includes: forming a first slant face of the probe through an anisotropic etching process using a first etching mask pattern formed on a silicon substrate; forming a first semiconductor electrode region; forming a second etching mask pattern in an opposite direction of the first etching mask pattern on the silicon substrate; forming a spacer layer on a side wall of the second etching mask pattern; forming a second slant face of the probe; forming a second semiconductor electrode region; forming a silicon oxide layer pattern on the resulting silicon substrate; forming spacer layers on both side walls of the silicon oxide layer pattern; and etching the silicon substrate to a predetermined depth.

摘要翻译： 探针的制造方法包括：使用形成在硅衬底上的第一蚀刻掩模图案，通过各向异性蚀刻工艺形成探针的第一倾斜面; 形成第一半导体电极区域; 在所述硅衬底上与所述第一蚀刻掩模图案的相反方向形成第二蚀刻掩模图案; 在所述第二蚀刻掩模图案的侧壁上形成间隔层; 形成探针的第二倾斜面; 形成第二半导体电极区域; 在所得硅衬底上形成氧化硅层图案; 在氧化硅层图案的两个侧壁上形成间隔层; 并将硅衬底蚀刻到预定深度。

公开(公告)号：US07700393B2

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：US12043982

申请日：2008-03-07

申请人： Hyoung Soo Ko ,  Byung Gook Park ,  Seung Bum Hong ,  Chul Min Park ,  Woo Young Choi ,  Jong Pil Kim ,  Jae Young Song ,  Sang Wan Kim

发明人： Hyoung Soo Ko ,  Byung Gook Park ,  Seung Bum Hong ,  Chul Min Park ,  Woo Young Choi ,  Jong Pil Kim ,  Jae Young Song ,  Sang Wan Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7834 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1409 ,  H01L21/28123 ,  H01L29/66636

摘要： A method of manufacturing an enhancement type semiconductor probe and an information storage device having the enhancement type semiconductor probe are provided. The method involves using an anisotropic wet etching and a side-wall in which influence of process parameters upon the performance of a device is reduced to improve reliability of the device in mass-production, and factors of degrading measuring sensitivity is removed to improve the performance of the device.

摘要翻译： 提供一种制造增强型半导体探针的方法和具有该增强型半导体探针的信息存储装置。 该方法包括使用各向异性湿蚀刻和侧壁，其中降低了工艺参数对器件性能的影响，以提高器件在批量生产中的可靠性，并且去除降低测量灵敏度的因素以提高性能 的设备。

公开(公告)号：US20080220556A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：US12043982

申请日：2008-03-07

申请人： Hyoung Soo Ko ,  Byung Gook Park ,  Seung Bum Hong ,  Chul Min Park ,  Woo Young Choi ,  Jong Pil Kim ,  Jae Young Song ,  Sang Wan Kim

发明人： Hyoung Soo Ko ,  Byung Gook Park ,  Seung Bum Hong ,  Chul Min Park ,  Woo Young Choi ,  Jong Pil Kim ,  Jae Young Song ,  Sang Wan Kim

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L29/7834 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1409 ,  H01L21/28123 ,  H01L29/66636

摘要： A method of manufacturing an enhancement type semiconductor probe and an information storage device having the enhancement type semiconductor probe are provided. The method involves using an anisotropic wet etching and a side-wall in which influence of process parameters upon the performance of a device is reduced to improve reliability of the device in mass-production, and factors of degrading measuring sensitivity is removed to improve the performance of the device.

摘要翻译： 提供一种制造增强型半导体探针的方法和具有该增强型半导体探针的信息存储装置。 该方法包括使用各向异性湿蚀刻和侧壁，其中降低了工艺参数对器件性能的影响，以提高器件在批量生产中的可靠性，并且去除降低测量灵敏度的因素以提高性能 的设备。

公开(公告)号：US20100136610A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：US12629797

申请日：2009-12-02

申请人： Jeong-Yeol Yoon ,  Jae-Young Song

发明人： Jeong-Yeol Yoon ,  Jae-Young Song

IPC分类号： C12Q1/04 ,  C12M1/34

CPC分类号： G01N33/569 ,  G01N33/54313 ,  Y02A50/59

摘要： The present invention features a microfluidic device for detecting Escherichia coli. The device comprises (a) a base slide having a first inlet and a second inlet, both of which connect at a vertex, where the first inlet is for accepting beads conjugated with anti-E. coli and the second inlet is for accepting a sample, wherein at the vertex the beads conjugated with anti-E. coli and the sample combine to form a combined mixture; (b) a portable spectrometer and a light source; and (c) a first fiber optic cable for directing an incident light into the combined mixture and a second fiber optic cable for detection of light scattering from the combined mixture, where the fiber optic cables are arranged in a proximity fiber arrangement, with the second fiber positioned above the base slide so as to detect forward light scattering at about a 45° angle.

摘要翻译： 本发明的特征在于用于检测大肠杆菌的微流体装置。 该装置包括（a）具有第一入口和第二入口的基底滑块，两者都在顶点连接，其中第一入口用于接收与抗E缀合的珠粒。 大肠杆菌和第二入口用于接受样品，其中在顶点处缀合有抗E的珠。 大肠杆菌和样品结合形成混合物; （b）便携式光谱仪和光源; 和（c）用于将入射光引导到组合混合物中的第一光纤电缆和用于检测来自组合混合物的光散射的第二光纤电缆，其中光纤电缆布置在接近光纤配置中，第二光纤电缆 纤维定位在基底滑块上方，以便以大约45°的角度检测向前的光散射。

公开(公告)号：US20080169465A1

公开(公告)日：2008-07-17

申请号：US11957575

申请日：2007-12-17

申请人： Hyoung Soo KO ,  Byung Gook PARK ,  Seung Bum HONG ,  Chul Min PARK ,  Woo Young CHOI ,  Jong Pil KIM ,  Jae Young SONG ,  Sang Wan KIM

发明人： Hyoung Soo KO ,  Byung Gook PARK ,  Seung Bum HONG ,  Chul Min PARK ,  Woo Young CHOI ,  Jong Pil KIM ,  Jae Young SONG ,  Sang Wan KIM

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/78

摘要： A method of manufacturing a probe includes: forming a first slant face of the probe through an anisotropic etching process using a first etching mask pattern formed on a silicon substrate; forming a first semiconductor electrode region; forming a second etching mask pattern in an opposite direction of the first etching mask pattern on the silicon substrate; forming a spacer layer on a side wall of the second etching mask pattern; forming a second slant face of the probe; forming a second semiconductor electrode region; forming a silicon oxide layer pattern on the resulting silicon substrate; forming spacer layers on both side walls of the silicon oxide layer pattern; and etching the silicon substrate to a predetermined depth.

摘要翻译： 探针的制造方法包括：使用形成在硅衬底上的第一蚀刻掩模图案，通过各向异性蚀刻工艺形成探针的第一倾斜面; 形成第一半导体电极区域; 在所述硅衬底上与所述第一蚀刻掩模图案的相反方向形成第二蚀刻掩模图案; 在所述第二蚀刻掩模图案的侧壁上形成间隔层; 形成探针的第二倾斜面; 形成第二半导体电极区域; 在所得硅衬底上形成氧化硅层图案; 在氧化硅层图案的两个侧壁上形成间隔层; 并将硅衬底蚀刻到预定深度。