公开(公告)号：US09123818B2

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：US13322193

申请日：2010-05-24

申请人： Hyun Jae Kim ,  Woong Hee Jeong ,  Byung Du Ahn ,  Gun Hee Kim

发明人： Hyun Jae Kim ,  Woong Hee Jeong ,  Byung Du Ahn ,  Gun Hee Kim

IPC分类号： H01L29/786 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02628 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66969 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00014

摘要： Exemplary embodiments provide compositions for a solution process, electronic devices fabricated using the same, and fabrication methods thereof. An oxide nano-structure is formed using a sol-gel process. An oxide thin film transistor is formed using the oxide nano-structure.

摘要翻译： 示例性实施例提供了用于溶液工艺的组合物，使用其制备的电子器件及其制造方法。 使用溶胶 - 凝胶法形成氧化物纳米结构。 使用氧化物纳米结构形成氧化物薄膜晶体管。

公开(公告)号：US20120080678A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US13322193

申请日：2010-05-24

申请人： Hyun Jae Kim ,  Woong Hee Jeong ,  Byung Du Ahn ,  Gun Hee Kim

发明人： Hyun Jae Kim ,  Woong Hee Jeong ,  Byung Du Ahn ,  Gun Hee Kim

IPC分类号： H01L29/786 ,  B29C71/02 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02628 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66969 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00014

摘要： Exemplary embodiments provide compositions for a solution process, electronic devices fabricated using the same, and fabrication methods thereof An oxide nano-structure is formed using a sol-gel process. An oxide thin film transistor is formed using the oxide nano-structure.

摘要翻译： 示例性实施方案提供了溶液方法的组合物，使用其制备的电子器件及其制造方法。使用溶胶 - 凝胶法形成氧化物纳米结构。 使用氧化物纳米结构形成氧化物薄膜晶体管。

公开(公告)号：US08536570B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US13341060

申请日：2011-12-30

申请人： Hyun Jae Kim ,  Woong Hee Jeong ,  Jung Hyeon Bae ,  Kyung Min Kim

发明人： Hyun Jae Kim ,  Woong Hee Jeong ,  Jung Hyeon Bae ,  Kyung Min Kim

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01B1/02

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628

摘要： Provided are a composition for an oxide semiconductor, a preparation method of the composition, a method for forming an oxide semiconductor thin film using the composition, and a method for forming an electronic device using the composition. The composition for an oxide semiconductor includes a compound for an oxide thin film and a stabilizer for adjusting conductivity of the oxide thin film. The stabilizer is included with the mole number of two to twelve times larger than the total mole number of the compound.

摘要翻译： 提供了一种氧化物半导体的组合物，该组合物的制备方法，使用该组合物形成氧化物半导体薄膜的方法，以及使用该组合物形成电子器件的方法。 用于氧化物半导体的组合物包括用于氧化物薄膜的化合物和用于调节氧化物薄膜的导电性的稳定剂。 稳定剂的摩尔数大于化合物总摩尔数的2至12倍。

公开(公告)号：US20120168747A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13341060

申请日：2011-12-30

申请人： Hyun Jae KIM ,  Woong Hee Jeong ,  Jung Hyeon Bae ,  Kyung Min Kim

发明人： Hyun Jae KIM ,  Woong Hee Jeong ,  Jung Hyeon Bae ,  Kyung Min Kim

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01B1/00 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628

摘要： Provided are a composition for an oxide semiconductor, a preparation method of the composition, a method for forming an oxide semiconductor thin film using the composition, and a method for forming an electronic device using the composition. The composition for an oxide semiconductor includes a compound for an oxide thin film and a stabilizer for adjusting conductivity of the oxide thin film. The stabilizer is included with the mole number of two to twelve times larger than the total mole number of the compound.

摘要翻译： 提供了一种氧化物半导体的组合物，该组合物的制备方法，使用该组合物形成氧化物半导体薄膜的方法，以及使用该组合物形成电子器件的方法。 用于氧化物半导体的组合物包括用于氧化物薄膜的化合物和用于调节氧化物薄膜的导电性的稳定剂。 稳定剂的摩尔数大于化合物总摩尔数的2至12倍。