公开(公告)号：US3650854A

公开(公告)日：1972-03-21

申请号：US3650854D

申请日：1970-08-03

Applicant: IBM

Inventor： DEMSKY HERBERT M ,  PLATT ALAN ,  RIDEOUT ARTHUR J ,  SAMSON ROBERT S

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/22 ,  H01L29/00 ,  H01L29/73 ,  H01L7/44

CPC classification number: H01L29/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/22 ,  H01L29/73 ,  Y10S148/043 ,  Y10S148/106

Abstract: A process for producing in a transistor a slumped base profile wherein the base diffusion window is reoxidized, a layer of P2O5 is deposited over the oxide, an insulating layer deposited over the P2O5, an emitter window opened, and emitter diffusion made.

Abstract translation: 一种用于在晶体管中制造贱底基本轮廓的方法，其中基底扩散窗被再氧化，在氧化物上沉积P2O5层，沉积在P2O5上的绝缘层，打开的发射器窗口和发射极扩散。