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    High-performance gate oxides such as for graphene field-effect transistors or carbon nanotubes
    1.
    发明授权
    High-performance gate oxides such as for graphene field-effect transistors or carbon nanotubes 失效
    高性能栅极氧化物，如石墨烯场效应晶体管或碳纳米管

    公开(公告)号：US08445893B2

    公开(公告)日：2013-05-21

    申请号：US12839095

    申请日：2010-07-19

    申请人： Inanc Meric ,  Kenneth Shepard ,  Noah J. Tremblay ,  Philip Kim ,  Colin P. Nuckolls

    发明人： Inanc Meric ,  Kenneth Shepard ,  Noah J. Tremblay ,  Philip Kim ,  Colin P. Nuckolls

    IPC分类号： H01L29/08

    CPC分类号： H01L29/66045 ,  H01L21/02118 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66439

    摘要： An apparatus or method can include forming a graphene layer including a working surface, forming a polyvinyl alcohol (PVA) layer upon the working surface of the graphene layer, and forming a dielectric layer upon the PVA layer. In an example, the PVA layer can be activated and the dielectric layer can be deposited on an activated portion of the PVA layer. In an example, an electronic device can include such apparatus, such as included as a portion of graphene field-effect transistor (GFET), or one or more other devices.

    摘要翻译： 装置或方法可以包括形成包括工作表面的石墨烯层，在石墨烯层的工作表面上形成聚乙烯醇（PVA）层，并在PVA层上形成电介质层。 在一个实例中，可以激活PVA层并且可以将介电层沉积在PVA层的活化部分上。 在一个示例中，电子设备可以包括这样的设备，例如作为石墨烯场效应晶体管（GFET）的一部分被包括，或者一个或多个其他设备。