公开(公告)号：US20140091302A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：US14039188

申请日：2013-09-27

Applicant: Industrial Technology Research Institute

Inventor： Tzu-Chi CHOU ,  Kuo-Chuang CHIU ,  Show-Ju PENG ,  Shan-Haw CHIOU ,  Yu-Tsz SHIE

IPC: H01L29/12

CPC classification number: H01L29/12 ,  C01G9/02 ,  C01G15/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/52 ,  C04B35/453 ,  C04B35/624 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/449 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/26

Abstract: The disclosure provides a p-type metal oxide semiconductor material. The p-type metal oxide semiconductor material has the following formula: In1−xGa1−yMx+yZnO4+m, wherein M is Ca, Mg, or Cu, 0

Abstract translation: 本公开提供了一种p型金属氧化物半导体材料。 p型金属氧化物半导体材料具有下式：In1-xGa1-yMx + yZnO4 + m，其中M是Ca，Mg或Cu，0