公开(公告)号：US20140084382A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：US14089982

申请日：2013-11-26

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Nathaniel Berliner ,  James John Demarest ,  Lisa F. Edge ,  Balasubramanian S. Haran

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L29/49 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/088 ,  H01L29/66545

摘要： A structure and method for forming a dual metal fill and dual threshold voltage for replacement gate metal devices is disclosed. A selective deposition process involving titanium and aluminum is used to allow formation of two adjacent transistors with different fill metals and different workfunction metals, enabling different threshold voltages in the adjacent transistors.

摘要翻译： 公开了用于形成双金属填充物的结构和方法以及用于替换栅极金属器件的双阈值电压。 使用涉及钛和铝的选择性沉积方法来形成具有不同填充金属和不同功函数金属的两个相邻晶体管，从而能够在相邻晶体管中实现不同的阈值电压。

公开(公告)号：US20150079773A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：US14028517

申请日：2013-09-16

申请人： GLOBALFOUNDRIES Inc. ,  International Business Machines Corporation

发明人： Veeraraghavan S. Basker ,  Nathaniel Berliner ,  Hyun-Jin Cho ,  Johnathan Faltermeler ,  Kam-Leung Lee ,  Tenko Yamashita

IPC分类号： H01L21/18

CPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/845 ,  H01L29/66803

摘要： A conformal doping process for FinFET devices on a semiconductor substrate which includes NFET fins and PFET fins. In a first exemplary embodiment, an N-type dopant composition is conformally deposited over the NFET fins and the PFET fins. The semiconductor substrate is annealed to drive in an N-type dopant from the N-type dopant composition into the NFET fins. A P-type dopant composition is conformally deposited over the NFET fins and the PFET fins. The semiconductor substrate is annealed to drive in a P-type dopant from the P-type dopant composition into the PFET fins. In a second exemplary embodiment, one of the NFETfins and PFET fins may be covered with a first dopant composition and then a second dopant composition may cover both the NFET fins and the PFET fins followed by an anneal to drive in both dopants.

摘要翻译： 在包括NFET鳍片和PFET鳍片的半导体衬底上的FinFET器件的共形掺杂工艺。 在第一示例性实施例中，N型掺杂剂组合物共形沉积在NFET鳍片和PFET鳍片上。 将半导体衬底退火以将N型掺杂剂从N型掺杂剂组合物驱动到NFET鳍中。 P型掺杂剂组合物共形沉积在NFET鳍片和PFET鳍片上。 将半导体衬底退火以将P型掺杂剂从P型掺杂剂组合物驱动到PFET鳍中。 在第二示例性实施例中，可以用第一掺杂剂组合物覆盖NFET烯烃和PFET鳍中的一个，然后第二掺杂剂组合物可以覆盖NFET鳍和PFET鳍，然后进行退火以在两种掺杂剂中驱动。

公开(公告)号：US09105559B2

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：US14028517

申请日：2013-09-16

申请人： International Business Machines Corporation ,  GLOBALFOUNDRIES Inc.

发明人： Veeraraghavan S. Basker ,  Nathaniel Berliner ,  Hyun-Jin Cho ,  Johnathan Faltermeier ,  Kam-Leung Lee ,  Tenko Yamashita

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/18 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/845 ,  H01L29/66803

摘要： A conformal doping process for FinFET devices on a semiconductor substrate which includes NFET fins and PFET fins. In a first exemplary embodiment, an N-type dopant composition is conformally deposited over the NFET fins and the PFET fins. The semiconductor substrate is annealed to drive in an N-type dopant from the N-type dopant composition into the NFET fins. A P-type dopant composition is conformally deposited over the NFET fins and the PFET fins. The semiconductor substrate is annealed to drive in a P-type dopant from the P-type dopant composition into the PFET fins. In a second exemplary embodiment, one of the NFET fins and PFET fins may be covered with a first dopant composition and then a second dopant composition may cover both the NFET fins and the PFET fins followed by an anneal to drive in both dopants.

摘要翻译： 在包括NFET鳍片和PFET鳍片的半导体衬底上的FinFET器件的共形掺杂工艺。 在第一示例性实施例中，N型掺杂剂组合物共形沉积在NFET鳍片和PFET鳍片上。 将半导体衬底退火以将N型掺杂剂从N型掺杂剂组合物驱动到NFET鳍中。 P型掺杂剂组合物共形沉积在NFET鳍片和PFET鳍片上。 将半导体衬底退火以将P型掺杂剂从P型掺杂剂组合物驱动到PFET鳍中。 在第二示例性实施例中，NFET鳍和PFET鳍之一可以被第一掺杂剂组合物覆盖，然后第二掺杂剂组合物可以覆盖NFET鳍和PFET鳍，接着进行退火以在两种掺杂剂中驱动。