公开(公告)号：US4538342A

公开(公告)日：1985-09-03

申请号：US621082

申请日：1984-06-15

申请人： Irfan Camlibel ,  Aland K. Chin ,  Brymer H. Chin ,  Christie L. Zipfel

发明人： Irfan Camlibel ,  Aland K. Chin ,  Brymer H. Chin ,  Christie L. Zipfel

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L29/43 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/14 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L24/32 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/14 ,  H01L33/30 ,  Y10S438/902 ,  Y10S438/944

摘要： Electrical contacts with low specific-contact resistance to In-based Group III-V compound semiconductors (e.g., p-InGaAsP) are formed by electron beam depositing a thin Pt layer directly on the semiconductor and sintering at about 450.degree.-525.degree. C. for about 5-30 minutes. Light emitting diodes without dark spot defects can be fabricated using this technique.

摘要翻译： 基于In-III-V族化合物半导体（例如，p-InGaAsP）具有低比接触电阻的电接触通过电子束直接在半导体上沉积薄Pt层并在约450-525℃烧结而形成。 约5-30分钟。 使用这种技术可以制造没有暗斑缺陷的发光二极管。