公开(公告)号：US20160276365A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：US15066619

申请日：2016-03-10

申请人： JI-HOON CHOI ,  SEUNGHYUN LIM ,  SUNGGIL KIM ,  HONGSUK KIM ,  HUNHYEONG LIM ,  HYUNJUN SIM

发明人： JI-HOON CHOI ,  SEUNGHYUN LIM ,  SUNGGIL KIM ,  HONGSUK KIM ,  HUNHYEONG LIM ,  HYUNJUN SIM

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157

摘要： A semiconductor memory device includes a stack including gate electrodes sequentially stacked on a substrate, a vertical insulating structure penetrating the stack vertically with respect to the gate electrodes, a vertical channel portion disposed on an inner side surface of the vertical insulating structure, and a common source region formed in the substrate and spaced apart from the vertical channel portion. A bottom region of the vertical channel portion has a protruding surface in contact with a bottom region of the vertical insulating structure.

摘要翻译： 一种半导体存储器件包括：堆叠，其包括依次层叠在基板上的栅极电极，相对于栅电极垂直地贯穿堆叠体的垂直绝缘结构，设置在垂直绝缘结构的内侧面的垂直沟道部， 源极区域形成在衬底中并且与垂直沟道部分间隔开。 垂直通道部分的底部区域具有与垂直绝缘结构的底部区域接触的突出表面。