公开(公告)号：US20150277792A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：US14338361

申请日：2014-07-23

申请人： JIN-HEE MA ,  SE-HWAN LEE ,  DA-WOON JUNG ,  MOON-WOOK OH

发明人： JIN-HEE MA ,  SE-HWAN LEE ,  DA-WOON JUNG ,  MOON-WOOK OH

IPC分类号： G06F3/06 ,  G11C16/04 ,  G11C16/10

CPC分类号： G06F3/0619 ,  G06F3/065 ,  G06F3/0655 ,  G06F3/0679 ,  G06F2206/1014 ,  G11C16/105 ,  G11C16/349 ,  G11C29/44 ,  G11C29/52

摘要： A method of controlling a non-volatile memory device comprises detecting a bad page in a first block of the non-volatile memory device, and as a consequence of detecting the bad page, copying meta data stored in valid pages of the first block and original meta data corresponding to the bad page, programming the copied meta data to a second block of the non-volatile memory device, erasing the first block, and thereafter programming user data in the first block.

摘要翻译： 一种控制非易失性存储器件的方法包括检测非易失性存储器件的第一块中的坏页，并且作为检测到坏页的结果，复制存储在第一块的有效页中的元数据和原始 对应于坏页面的元数据，将复制的元数据编程到非易失性存储器件的第二块，擦除第一块，然后在第一块中编程用户数据。