公开(公告)号：US20160300929A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：US15062742

申请日：2016-03-07

申请人： JINBUM KIM ,  Jaeyoung Park ,  Donghun Lee ,  Jeongho Yoo ,  Jieon Yoon ,  Kwan Heum Lee ,  Choeun Lee ,  Bonyoung Koo

发明人： JINBUM KIM ,  Jaeyoung Park ,  Donghun Lee ,  Jeongho Yoo ,  Jieon Yoon ,  Kwan Heum Lee ,  Choeun Lee ,  Bonyoung Koo

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/12 ,  H01L21/30 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/04 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/3003 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/12 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

摘要： A method of fabricating a semiconductor device is provided as follows. A source/drain pattern is formed on a substrate. The source/drain pattern contains silicon atoms and germanium atoms. At least one germanium atom is removed from the germanium atoms of the source/drain pattern.

摘要翻译： 如下提供制造半导体器件的方法。 在衬底上形成源极/漏极图案。 源/漏模式包含硅原子和锗原子。 从源极/漏极图案的锗原子中去除至少一个锗原子。