公开(公告)号：US20130037804A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：US13429259

申请日：2012-03-23

申请人： Jae-Seob LEE ,  Chang-Yong JEONG ,  Yong-Hwan PARK ,  Kyung-Mi KWON

发明人： Jae-Seob LEE ,  Chang-Yong JEONG ,  Yong-Hwan PARK ,  Kyung-Mi KWON

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L27/1218 ,  H01L27/1281

摘要： A display device includes: a base film including plastic; an active layer on the base film, the active layer including a polysilicon layer formed by crystallizing an amorphous silicon layer using a laser; a barrier layer between the active layer and the base film; and a laser absorption layer between the barrier layer and the active layer.

摘要翻译： 显示装置包括：包括塑料的基膜; 所述有源层包括通过使用激光使非晶硅层结晶而形成的多晶硅层; 有源层和基膜之间的阻挡层; 以及在所述阻挡层和所述有源层之间的激光吸收层。

公开(公告)号：US20120267635A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：US13543195

申请日：2012-07-06

申请人： Sang-Ho MOON ,  Joon-Hoo CHOI ,  Kyu-Sik CHO ,  Byoung-Seong JEONG ,  Yong-Hwan PARK

发明人： Sang-Ho MOON ,  Joon-Hoo CHOI ,  Kyu-Sik CHO ,  Byoung-Seong JEONG ,  Yong-Hwan PARK

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/15

CPC分类号： H01L29/78678 ,  H01L29/66765

摘要： In a method of manufacturing a thin film transistor substrate, a semiconductor pattern is formed on a substrate, a first etch stop layer and a second etch stop layer are sequentially formed on the semiconductor pattern, and the second etch stop layer and the first etch stop layer are sequentially patterned to form a second etch stop pattern and a first etch stop pattern. Thus, when the second etch stop layer is patterned using an etchant, the first etch stop layer covers the semiconductor pattern, thereby preventing the semiconductor pattern from being etched by the etchant.

摘要翻译： 在制造薄膜晶体管基板的方法中，半导体图案形成在基板上，第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层依次形成在半导体图案上，第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层 层被顺序地图案化以形成第二蚀刻停止图案和第一蚀刻停止图案。 因此，当使用蚀刻剂对第二蚀刻停止层进行图案化时，第一蚀刻停止层覆盖半导体图案，从而防止半导体图案被蚀刻剂蚀刻。

公开(公告)号：US20120001156A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：US13077045

申请日：2011-03-31

申请人： Kyu-Sik CHO ,  Won-Kyu LEE ,  Tae-Hoon YANG ,  Byoung-Kwon CHOO ,  Sang-Ho MOON ,  Bo-Kyung CHOI ,  Yong-Hwan PARK ,  Joon-Hoo CHOI ,  Min-Chul SHIN ,  Yun-Gyu LEE

发明人： Kyu-Sik CHO ,  Won-Kyu LEE ,  Tae-Hoon YANG ,  Byoung-Kwon CHOO ,  Sang-Ho MOON ,  Bo-Kyung CHOI ,  Yong-Hwan PARK ,  Joon-Hoo CHOI ,  Min-Chul SHIN ,  Yun-Gyu LEE

IPC分类号： H01L51/52

CPC分类号： H01L27/3279 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265

摘要： An organic light emitting diode display is disclosed. The organic light emitting diode display includes: a substrate including a first region and a second region, a first gate electrode formed over the first region, a second gate electrode formed over the second region, a first gate insulator formed on the first gate electrode, a second gate insulator formed on the second gate electrode, a first semiconductor layer formed on the first gate insulator, the first semiconductor layer including a first channel region, a second semiconductor layer formed on the second gate insulator, the second semiconductor layer including a second channel region, an interlayer insulator formed over the substrate and over at least part of the first and second semiconductor layers, a first etching stop layer formed over the first channel region and surrounded by the interlayer insulator, a second etching stop layer formed over the second channel region and surrounded by the interlayer insulator, a first source electrode and a first drain electrode contacting the first semiconductor layer through the interlayer insulator, and a second source electrode and a second drain electrode contacting the second semiconductor layer through the interlayer insulator.

摘要翻译： 公开了一种有机发光二极管显示器。 有机发光二极管显示器包括：包括第一区域和第二区域的基板，形成在第一区域上的第一栅极电极，形成在第二区域上的第二栅极电极，形成在第一栅电极上的第一栅极绝缘体， 形成在所述第二栅电极上的第二栅极绝缘体，形成在所述第一栅极绝缘体上的第一半导体层，所述第一半导体层包括第一沟道区，形成在所述第二栅极绝缘体上的第二半导体层，所述第二半导体层包括第二栅极绝缘体， 沟道区域，形成在所述衬底上并且在所述第一和第二半导体层的至少一部分上方的层间绝缘体，形成在所述第一沟道区域上并被所述层间绝缘体包围的第一蚀刻停止层，形成在所述第二沟槽区上的第二蚀刻停止层 沟道区域并被层间绝缘体包围，第一源电极和与其接触的第一漏电极 e通过层间绝缘体的第一半导体层，以及通过层间绝缘体与第二半导体层接触的第二源电极和第二漏电极。

公开(公告)号：US20130164872A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13771656

申请日：2013-02-20

申请人： Yong-Hwan PARK ,  Kyu-Sik CHO ,  Sang-Ho MOON ,  Byoung-Kwon CHOO ,  Min-Chul SHIN ,  Tae-Hoon YANG ,  Bo-Kyung CHOI ,  Won-Kyu LEE ,  Yun-Gyu LEE ,  Joon-Hoo CHOI

发明人： Yong-Hwan PARK ,  Kyu-Sik CHO ,  Sang-Ho MOON ,  Byoung-Kwon CHOO ,  Min-Chul SHIN ,  Tae-Hoon YANG ,  Bo-Kyung CHOI ,  Won-Kyu LEE ,  Yun-Gyu LEE ,  Joon-Hoo CHOI

IPC分类号： H01L51/56

CPC分类号： H01L27/1251 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/3262

摘要： An organic light emitting diode display device and a method of manufacturing thereof, the device including a substrate, the substrate including a pixel part and a circuit part; a first semiconductor layer and a second semiconductor layer on the pixel part of the substrate; a gate insulating layer on an entire surface of the substrate; gate electrodes on the gate insulating layer, the gate electrodes corresponding to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively; source/drain electrodes insulated from the gate electrodes, the source/drain electrodes being connected to the first and second semiconductor layers, respectively; a first electrode connected to the source/drain electrodes of the first semiconductor layer; an organic layer on the first electrode; a second layer on the organic layer; and a metal catalyst layer under the first semiconductor layer.

摘要翻译： 一种有机发光二极管显示装置及其制造方法，所述装置包括基板，所述基板包括像素部分和电路部分; 在所述基板的像素部分上的第一半导体层和第二半导体层; 在所述基板的整个表面上的栅极绝缘层; 栅绝缘层上的栅电极，分别对应于第一半导体层和第二半导体层的栅电极; 与栅电极绝缘的源/漏电极，源/漏电极分别连接到第一和第二半导体层; 连接到第一半导体层的源极/漏极的第一电极; 第一电极上的有机层; 有机层上的第二层; 以及在第一半导体层下面的金属催化剂层。

公开(公告)号：US20110291122A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13114585

申请日：2011-05-24

申请人： Min-Chul SHIN ,  Kyu-Sik CHO ,  Won-Kyu LEE ,  Tae-Hoon YANG ,  Byoung-Kwon CHOO ,  Yun-Gyu LEE ,  Yong-Hwan PARK ,  Sang-Ho MOON ,  Bo-Kyung CHOI

发明人： Min-Chul SHIN ,  Kyu-Sik CHO ,  Won-Kyu LEE ,  Tae-Hoon YANG ,  Byoung-Kwon CHOO ,  Yun-Gyu LEE ,  Yong-Hwan PARK ,  Sang-Ho MOON ,  Bo-Kyung CHOI

IPC分类号： H01L33/62

CPC分类号： H01L27/3279 ,  H01L27/3248

摘要： A display device with the substrate divided into three areas. A semiconductor layer is formed in the first second areas and includes a channel area and source/drain areas; a gate insulating layer formed on the semiconductor layer in an area corresponding to the channel area; and a gate electrode formed on the gate insulating layer. The source/drain electrodes contact the source/drain areas, respectively; a pixel electrode is formed in the same layer but in a third area; an interlayer insulating layer is formed on a whole surface of the substrate including the formed structures; and a gate line is formed on the interlayer insulating layer and is electrically connected to a gate electrode of the first area through a via contact hole of the interlayer insulating layer.

摘要翻译： 具有分为三个区域的基板的显示装置。 半导体层形成在第一第二区域中，并且包括沟道区域和源极/漏极区域; 栅极绝缘层，形成在与沟道区对应的区域中的半导体层上; 以及形成在栅极绝缘层上的栅电极。 源极/漏极电极分别接触源极/漏极区域; 像素电极形成在同一层中，但在第三区域中形成; 在包括所形成的结构的基板的整个表面上形成层间绝缘层; 并且在所述层间绝缘层上形成栅极线，并且通过所述层间绝缘层的通孔接触孔与所述第一区域的栅电极电连接。