公开(公告)号：US07646632B2

公开(公告)日：2010-01-12

申请号：US11962701

申请日：2007-12-21

申请人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ ,  Bernhard Ruf ,  Christian Rüster ,  Dieter Andres ,  Petra Majewski

发明人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ ,  Bernhard Ruf ,  Christian Rüster ,  Dieter Andres ,  Petra Majewski

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2029/5006

摘要： An integrated circuit includes an array of resistance changing memory cells and a first circuit. The first circuit is configured to set a selected memory cell to a crystalline state by applying a decreasing stair step pulse to the selected memory cell. The pulse is based on a reset current distribution for the array of memory cells.

摘要翻译： 集成电路包括电阻变化存储单元阵列和第一电路。 第一电路被配置为通过对所选择的存储单元施加递减阶梯脉冲将所选存储单元设置为结晶状态。 脉冲基于存储器单元阵列的复位电流分布。

公开(公告)号：US20090161415A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US11962701

申请日：2007-12-21

申请人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ ,  Bernhard Ruf ,  Christian Ruster ,  Dieter Andres ,  Petra Majewski

发明人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ ,  Bernhard Ruf ,  Christian Ruster ,  Dieter Andres ,  Petra Majewski

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00 ,  G11C29/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2029/5006

摘要： An integrated circuit includes an array of resistance changing memory cells and a first circuit. The first circuit is configured to set a selected memory cell to a crystalline state by applying a decreasing stair step pulse to the selected memory cell. The pulse is based on a reset current distribution for the array of memory cells.

摘要翻译： 集成电路包括电阻变化存储单元阵列和第一电路。 第一电路被配置为通过对所选择的存储单元施加递减阶梯脉冲将所选存储单元设置为结晶状态。 脉冲基于存储器单元阵列的复位电流分布。

公开(公告)号：US07929336B2

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US12137096

申请日：2008-06-11

申请人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ ,  Bernhard Ruf ,  Christian Rüster

发明人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ ,  Bernhard Ruf ,  Christian Rüster

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/79

摘要： An integrated circuit includes a resistance changing memory element and a circuit. The circuit is configured to program the memory element to a crystalline state from an amorphous state by applying a seed pulse to the memory element followed by a set pulse.

摘要翻译： 集成电路包括电阻变化存储元件和电路。 该电路被配置为通过将晶体脉冲施加到存储元件，然后是设定脉冲，将存储元件编程为非晶状态的结晶状态。

公开(公告)号：US08009468B2

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：US12167853

申请日：2008-07-03

申请人： Dieter Andres ,  Thomas Happ ,  Petra Majewski ,  Bernhard Ruf

发明人： Dieter Andres ,  Thomas Happ ,  Petra Majewski ,  Bernhard Ruf

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1608

摘要： A method for fabricating an integrated circuit, the method comprises forming a first electrode, depositing resistance changing material over the first electrode, the resistance changing material having an active zone for switching the resistance of the resistance changing material and an inactive zone, and forming a second electrode over the resistance changing material. The chemical composition of the resistance changing material in the active zone differs from the chemical composition of the resistance changing material in the inactive zone.

摘要翻译： 一种用于制造集成电路的方法，所述方法包括：形成第一电极，在所述第一电极上沉积电阻变化材料，所述电阻变化材料具有用于切换所述电阻变化材料的电阻的活性区域和非活性区域，以及形成 电阻变化材料上的第二电极。 活性区中的电阻变化材料的化学成分不同于非活性区中的电阻变化材料的化学成分。

公开(公告)号：US07939817B2

公开(公告)日：2011-05-10

申请号：US12167886

申请日：2008-07-03

申请人： Dieter Andres ,  Thomas Happ ,  Petra Majewski ,  Bernhard Ruf

发明人： Dieter Andres ,  Thomas Happ ,  Petra Majewski ,  Bernhard Ruf

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

摘要： An integrated circuit includes a heater element serving as a first electrode, a second electrode, a memory element comprising resistance changing material coupled to the heater element and to the second electrode, and a diffusion compensation region coupled to the heater element and to the resistance changing material. The diffusion compensation region includes a surplus of at least one diffusible species present in the memory element and provides at least one diffusible species to the memory element.

摘要翻译： 集成电路包括用作第一电极的加热器元件，第二电极，包括耦合到加热器元件和第二电极的电阻改变材料的存储元件，以及耦合到加热元件的扩散补偿区域和电阻变化 材料。 扩散补偿区域包括存储在存储元件中的至少一种可扩散物质的剩余，并且向存储元件提供至少一个可扩散物质。

公开(公告)号：US20090052232A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12167853

申请日：2008-07-03

申请人： Dieter Andres ,  Thomas Happ ,  Petra Majewski ,  Bernhard Ruf

发明人： Dieter Andres ,  Thomas Happ ,  Petra Majewski ,  Bernhard Ruf

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1608

摘要： A method for fabricating an integrated circuit, the method comprises forming a first electrode, depositing resistance changing material over the first electrode, the resistance changing material having an active zone for switching the resistance of the resistance changing material and an inactive zone, and forming a second electrode over the resistance changing material. The chemical composition of the resistance changing material in the active zone differs from the chemical composition of the resistance changing material in the inactive zone

摘要翻译： 一种用于制造集成电路的方法，所述方法包括：形成第一电极，在所述第一电极上沉积电阻变化材料，所述电阻变化材料具有用于切换所述电阻变化材料的电阻的活性区域和非活性区域，以及形成 电阻变化材料上的第二电极。 活性区中的电阻变化材料的化学成分不同于非活性区中的电阻变化材料的化学成分

公开(公告)号：US20090050870A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12167886

申请日：2008-07-03

申请人： Dieter Andres ,  Thomas Happ ,  Petra Majewski ,  Bernhard Ruf

发明人： Dieter Andres ,  Thomas Happ ,  Petra Majewski ,  Bernhard Ruf

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

摘要： An integrated circuit includes a heater element serving as a first electrode, a second electrode, a memory element comprising resistance changing material coupled to the heater element and to the second electrode, and a diffusion compensation region coupled to the heater element and to the resistance changing material. The diffusion compensation region includes a surplus of at least one diffusible species present in the memory element and provides at least one diffusible species to the memory element.

摘要翻译： 集成电路包括用作第一电极的加热器元件，第二电极，包括耦合到加热器元件和第二电极的电阻改变材料的存储元件，以及耦合到加热元件的扩散补偿区域和电阻变化 材料。 扩散补偿区域包括存储在存储元件中的至少一种可扩散物质的剩余，并且向存储元件提供至少一个可扩散物质。

公开(公告)号：US20090310401A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12137096

申请日：2008-06-11

申请人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ ,  Bernhard Ruf ,  Christian Ruster

发明人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ ,  Bernhard Ruf ,  Christian Ruster

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/79

摘要： An integrated circuit includes a resistance changing memory element and a circuit. The circuit is configured to program the memory element to a crystalline state from an amorphous state by applying a seed pulse to the memory element followed by a set pulse.

摘要翻译： 集成电路包括电阻变化存储元件和电路。 该电路被配置为通过将晶体脉冲施加到存储元件，然后是设定脉冲，将存储元件编程为非晶状态的结晶状态。

公开(公告)号：US08063394B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12247763

申请日：2008-10-08

申请人： Dieter Andres ,  Rainer Bruchhaus ,  Ulrike Gruening-Von Schwerin ,  Ulrich Klostermann ,  Franz Kreupl ,  Michael Kund ,  Petra Majewski ,  Christian Ruester ,  Bernhard Ruf ,  Ralf Symanczyk ,  Klaus-Dieter Ufert

发明人： Dieter Andres ,  Rainer Bruchhaus ,  Ulrike Gruening-Von Schwerin ,  Ulrich Klostermann ,  Franz Kreupl ,  Michael Kund ,  Petra Majewski ,  Christian Ruester ,  Bernhard Ruf ,  Ralf Symanczyk ,  Klaus-Dieter Ufert

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L29/0673 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/14 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

摘要： According to an embodiment, an integrated circuit including a plurality of resistance changing memory cells is disclosed. Each memory cell includes a first electrode, a second electrode and resistance changing memory element arranged between the first electrode and the second electrode. A front surface area of an end section of the first electrode that faces the resistance changing memory element is smaller than a front surface area of an end section of the second electrode that faces the resistance changing memory element.

摘要翻译： 根据实施例，公开了包括多个电阻变化存储单元的集成电路。 每个存储单元包括布置在第一电极和第二电极之间的第一电极，第二电极和电阻变化存储元件。 第一电极的面向电阻改变存储元件的端部的前表面积小于面向电阻变化存储元件的第二电极的端部的前表面区域。

公开(公告)号：US20100084741A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12247763

申请日：2008-10-08

申请人： Dieter Andres ,  Rainer Bruchhaus ,  Ulrike Gruening-Von Schwerin ,  Ulrich Klostermann ,  Franz Kreupl ,  Michael Kund ,  Petra Majewski ,  Christian Ruester ,  Bernhard Ruf ,  Ralf Symanczyk ,  Klaus-Dieter Ufert

发明人： Dieter Andres ,  Rainer Bruchhaus ,  Ulrike Gruening-Von Schwerin ,  Ulrich Klostermann ,  Franz Kreupl ,  Michael Kund ,  Petra Majewski ,  Christian Ruester ,  Bernhard Ruf ,  Ralf Symanczyk ,  Klaus-Dieter Ufert

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L29/0673 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/14 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

摘要： According to an embodiment, an integrated circuit including a plurality of resistance changing memory cells is disclosed. Each memory cell includes a first electrode, a second electrode and resistance changing memory element arranged between the first electrode and the second electrode. A front surface area of an end section of the first electrode that faces the resistance changing memory element is smaller than a front surface area of an end section of the second electrode that faces the resistance changing memory element.

摘要翻译： 根据实施例，公开了包括多个电阻变化存储单元的集成电路。 每个存储单元包括布置在第一电极和第二电极之间的第一电极，第二电极和电阻变化存储元件。 第一电极的面向电阻变化存储元件的端部的前表面区域小于面向电阻变化存储元件的第二电极的端部的前表面区域。