公开(公告)号：US09064777B2

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：US13591732

申请日：2012-08-22

申请人： Jin-Seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Hyun-jae Song ,  Seong-jun Park ,  David Seo ,  Hee-jun Yang

发明人： Jin-Seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Hyun-jae Song ,  Seong-jun Park ,  David Seo ,  Hee-jun Yang

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/16 ,  H01L29/786 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/08 ,  H01L29/165

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

摘要： According to example embodiments, a graphene switching devices has a tunable barrier. The graphene switching device may include a gate substrate, a gate dielectric on the gate substrate, a graphene layer on the gate dielectric, a semiconductor layer and a first electrode sequentially stacked on a first region of the graphene layer, and a second electrode on a second region of the graphene layer. The semiconductor layer may be doped with one of an n-type impurity and a p-type impurity. The semiconductor layer may face the gate substrate with the graphene layer being between the semiconductor layer and the gate substrate. The second region of the graphene layer may be separated from the first region on the graphene layer.

摘要翻译： 根据示例性实施例，石墨烯切换装置具有可调屏障。 石墨烯开关装置可以包括栅极衬底，栅极衬底上的栅极电介质，栅极电介质上的石墨烯层，顺序地堆叠在石墨烯层的第一区域上的半导体层和第一电极，以及第二电极， 石墨烯层的第二区域。 半导体层可以掺杂有n型杂质和p型杂质中的一种。 半导体层可以面对栅极衬底，其中石墨烯层位于半导体层和栅极衬底之间。 石墨烯层的第二区域可以与石墨烯层上的第一区域分离。

公开(公告)号：US20120080658A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US13067254

申请日：2011-05-19

申请人： Hee-jun Yang ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-Seong Heo

发明人： Hee-jun Yang ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-Seong Heo

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  B82Y99/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/66477 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/838 ,  Y10S977/842

摘要： A graphene electronic device and a method of fabricating the graphene electronic device are provided. The graphene electronic device may include a graphene channel layer formed on a hydrophobic polymer layer, and a passivation layer formed on the graphene channel layer. The hydrophobic polymer layer may prevent or reduce adsorption of impurities to transferred graphene, and a passivation layer may also prevent or reduce adsorption of impurities to a heat-treated graphene channel layer.

摘要翻译： 提供石墨烯电子器件和制造石墨烯电子器件的方法。 石墨烯电子器件可以包括形成在疏水聚合物层上的石墨烯通道层和形成在石墨烯通道层上的钝化层。 疏水性聚合物层可以防止或减少杂质对转移的石墨烯的吸附，并且钝化层也可以防止或减少杂质对经热处理的石墨烯通道层的吸附。