公开(公告)号：US07670760B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US11369513

申请日：2006-03-06

申请人： Jinmiao James Shen ,  Jonathan L. Cobb ,  William D. Darlington ,  Brian J. Fisher ,  Mark D. Hall ,  Vikas R. Sheth ,  Mehul D. Shroff ,  James E. Vasek

发明人： Jinmiao James Shen ,  Jonathan L. Cobb ,  William D. Darlington ,  Brian J. Fisher ,  Mark D. Hall ,  Vikas R. Sheth ,  Mehul D. Shroff ,  James E. Vasek

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F7/168

摘要： A method for reducing line edge roughness (LER) in a layer of photoresist is provided. In accordance with the method, a layer of photoresist is applied to a substrate. The layer of photoresist is then patterned and annealed in an atmosphere comprising at least one gas selected from the group consisting of hydrogen, nitrogen and fluorine-containing materials. Preferably, the anneal is performed after patterning the photoresist, but either immediately after, or subsequent to, the trim.

摘要翻译： 提供了一种降低光致抗蚀剂层中的线边缘粗糙度（LER）的方法。 根据该方法，将一层光致抗蚀剂施加到基底上。 然后在包括选自氢，氮和含氟材料的至少一种气体的气氛中对光致抗蚀剂层进行构图和退火。 优选地，在图案化光致抗蚀剂之后进行退火，但是在修剪之后或之后。