公开(公告)号：US5631178A

公开(公告)日：1997-05-20

申请号：US381387

申请日：1995-01-31

申请人： John S. Vogel ,  Ramesh V. Joshi ,  Anand M. Tulpule

发明人： John S. Vogel ,  Ramesh V. Joshi ,  Anand M. Tulpule

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/26 ,  H01L21/265 ,  H01L21/302 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/70 ,  H01L27/00

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/105

摘要： A method for making stable arsenic doped semiconductor devices (11,53,56) using dry etching techniques includes forming a polycrystalline semiconductor layer (29) on a upper surface of a semiconductor substrate (12), and patterning the polycrystalline semiconductor layer (29) using a dry etch process such as a plasma etch process. The semiconductor substrate (12) is then exposed to an elevated temperature to substantially reduce any defects contiguous with the upper surface of semiconductor substrate (12) resulting from the dry etch process. Arsenic is then incorporated into the semiconductor substrate (12) to form N+ regions (44). Surface sensitive devices such as MOSFET devices (53,56) are then formed on or within the semiconductor substrate (12).

摘要翻译： 使用干蚀刻技术制造稳定的砷掺杂半导体器件（11,53,56）的方法包括在半导体衬底（12）的上表面上形成多晶半导体层（29），以及对多晶半导体层（29）进行构图， 使用诸如等离子体蚀刻工艺的干蚀刻工艺。 然后将半导体衬底（12）暴露于升高的温度以基本上减少由干蚀刻工艺产生的与半导体衬底（12）的上表面相邻的任何缺陷。 然后将砷结合到半导体衬底（12）中以形成N +区（44）。 然后，在半导体衬底（12）上或内部形成诸如MOSFET器件（53,56）的表面敏感器件。