公开(公告)号：US20120148944A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13279859

申请日：2011-10-24

申请人： Jong-Keun OH ,  Dae-Hyuk Kang ,  Chan-Uk Jeon ,  Hyung-Ho Ko ,  Sung-Jae Han ,  Jung-Jin Kim

发明人： Jong-Keun OH ,  Dae-Hyuk Kang ,  Chan-Uk Jeon ,  Hyung-Ho Ko ,  Sung-Jae Han ,  Jung-Jin Kim

IPC分类号： G03F1/80 ,  G03F1/00 ,  G03F1/68 ,  B82Y30/00

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G03F1/46 ,  G03F1/48 ,  G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80

摘要： In a method of manufacturing a photomask pattern, a light-shielding layer pattern and an anti-reflective layer pattern are formed sequentially on a transparent substrate. Oxidation and nitridation processes are performed on a sidewall of the light-shielding layer pattern to form a protection layer pattern on a lateral portion of the light-shielding layer pattern.

摘要翻译： 在制造光掩模图案的方法中，在透明基板上依次形成遮光层图案和抗反射层图案。 在遮光层图案的侧壁上进行氧化和氮化处理，以在遮光层图案的横向部分上形成保护层图案。