公开(公告)号：US08932947B1

公开(公告)日：2015-01-13

申请号：US13948269

申请日：2013-07-23

申请人： Joo Won Han ,  Kee Young Cho ,  Han Soo Cho ,  Sang Wook Kim ,  Anisul H. Khan

发明人： Joo Won Han ,  Kee Young Cho ,  Han Soo Cho ,  Sang Wook Kim ,  Anisul H. Khan

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/3347 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76898 ,  H01L29/66621

摘要： Embodiments of the present invention provide methods to etching a recess channel in a semiconductor substrate, for example, a silicon containing material. In one embodiment, a method of forming a recess structure in a semiconductor substrate includes transferring a silicon substrate into a processing chamber having a patterned photoresist layer disposed thereon exposing a portion of the substrate, providing an etching gas mixture including a halogen containing gas and a Cl2 gas into the processing chamber, supplying a RF source power to form a plasma from the etching gas mixture, supplying a pulsed RF bias power in the etching gas mixture, and etching the portion of the silicon substrate exposed through the patterned photoresist layer in the presence of the plasma.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了蚀刻半导体衬底（例如含硅材料）中的凹槽通道的方法。 在一个实施例中，在半导体衬底中形成凹陷结构的方法包括将硅衬底转移到其中设置有图案化光致抗蚀剂层的处理室中，暴露一部分衬底，提供包含含卤素气体和 Cl 2气体进入处理室，提供RF源功率以从蚀刻气体混合物形成等离子体，在蚀刻气体混合物中提供脉冲RF偏置功率，以及蚀刻通过图案化光致抗蚀剂层暴露的硅衬底的部分， 存在等离子体。

公开(公告)号：US20150031187A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：US13948269

申请日：2013-07-23

申请人： Joo Won Han ,  Kee Young CHO ,  Han Sao CHO ,  Sang Wook KIM ,  Anisul H. KHAN

发明人： Joo Won Han ,  Kee Young CHO ,  Han Sao CHO ,  Sang Wook KIM ,  Anisul H. KHAN

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/3347 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76898 ,  H01L29/66621

摘要： Embodiments of the present invention provide methods to etching a recess channel in a semiconductor substrate, for example, a silicon containing material. In one embodiment, a method of forming a recess structure in a semiconductor substrate includes transferring a silicon substrate into a processing chamber having a patterned photoresist layer disposed thereon exposing a portion of the substrate, providing an etching gas mixture including a halogen containing gas and a Cl2 gas into the processing chamber, supplying a RF source power to form a plasma from the etching gas mixture, supplying a pulsed RF bias power in the etching gas mixture, and etching the portion of the silicon substrate exposed through the patterned photoresist layer in the presence of the plasma.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了蚀刻半导体衬底（例如含硅材料）中的凹槽通道的方法。 在一个实施例中，在半导体衬底中形成凹陷结构的方法包括将硅衬底转移到其中设置有图案化光致抗蚀剂层的处理室中，暴露一部分衬底，提供包含含卤素气体和 Cl 2气体进入处理室，提供RF源功率以从蚀刻气体混合物形成等离子体，在蚀刻气体混合物中提供脉冲RF偏置功率，以及蚀刻通过图案化光致抗蚀剂层暴露的硅衬底的部分， 存在等离子体。