公开(公告)号：US06855639B1

公开(公告)日：2005-02-15

申请号：US10632470

申请日：2003-08-01

申请人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  John Barnak ,  Paul R. Markworth

发明人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  John Barnak ,  Paul R. Markworth

IPC分类号： H01L21/3063 ,  H01L21/28 ,  H01L21/311 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/31111

摘要： A high-K thin film patterning solution is disclosed to address structural and process limitations of conventional patterning techniques. Subsequent to formation of gate structures adjacent a high-K dielectric layer, a portion of the high-K dielectric layer material is reduced, preferably via exposure to hydrogen gas, to form a reduced portion of the high-K dielectric layer. The reduced portion may be selectively removed utilizing wet etch chemistries to leave behind a trench of desirable geometric properties.

摘要翻译： 公开了一种高K薄膜图形解决方案，以解决常规图案化技术的结构和工艺限制。 在与高K电介质层相邻形成栅极结构之后，优选通过暴露于氢气来降低高K电介质层材料的一部分，以形成高K电介质层的减少的部分。 可以使用湿蚀刻化学物质选择性地去除还原部分，以留下所需几何性质的沟槽。