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公开(公告)号：US07319284B2
公开(公告)日：2008-01-15
申请号：US11219459
申请日：2005-09-02
申请人： Jyh-Shin Chen , Sheng-Wen Chen , Hui-Ling Kao , Yu-Sheng Kung , Yu-Hsin Lin , Yi-Chiuen Hu
发明人： Jyh-Shin Chen , Sheng-Wen Chen , Hui-Ling Kao , Yu-Sheng Kung , Yu-Hsin Lin , Yi-Chiuen Hu
IPC分类号： H01L41/083
CPC分类号： H03H9/02622 , H03H3/08 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
摘要： A novel surface acoustic wave device with a decreased velocity dispersion and a low insertion loss as well as the fabrication method therefor is provided. The surface acoustic wave device includes a substrate, an insulating layer with an indentation on the substrate, a silicon layer with a first portion on the insulating layer and a second portion suspended above the indentation, a piezoelectric layer on the first and the second portions of the silicon layer, and at least an electrode on the piezoelectric layer.
摘要翻译： 提供了具有降低的速度分散和低插入损耗的新型表面声波器件及其制造方法。 表面声波装置包括基板，在基板上具有凹陷的绝缘层，在绝缘层上具有第一部分的硅层和悬挂在凹槽上方的第二部分，在第一和第二部分上的压电层 硅层，以及压电层上的至少一个电极。
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公开(公告)号：US20070052324A1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：US11219459
申请日：2005-09-02
申请人： Jyh-Shin Chen , Sheng-Wen Chen , Hui-Ling Kao , Yu-Sheng Kung , Yu-Hsin Lin , Yi-Chiuen Hu
发明人： Jyh-Shin Chen , Sheng-Wen Chen , Hui-Ling Kao , Yu-Sheng Kung , Yu-Hsin Lin , Yi-Chiuen Hu
IPC分类号： H03H9/25
CPC分类号： H03H9/02622 , H03H3/08 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
摘要： A novel surface acoustic wave device with a decreased velocity dispersion and a low insertion loss as well as the fabrication method therefor is provided. The surface acoustic wave device includes a substrate, an insulating layer with an indentation on the substrate, a silicon layer with a first portion on the insulating layer and a second portion suspended above the indentation, a piezoelectric layer on the first and the second portions of the silicon layer, and at least an electrode on the piezoelectric layer.
摘要翻译： 提供了具有降低的速度分散和低插入损耗的新型表面声波器件及其制造方法。 表面声波装置包括基板，在基板上具有凹陷的绝缘层，在绝缘层上具有第一部分的硅层和悬挂在凹槽上方的第二部分，在第一和第二部分上的压电层 硅层，以及压电层上的至少一个电极。
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公开(公告)号：US08028389B2
公开(公告)日：2011-10-04
申请号：US11944207
申请日：2007-11-21
申请人： Jyh-Shin Chen , Sheng-Wen Chen , Hui-Ling Kao , Yu-Sheng Kung , Yu-Hsin Lin , Yi-Chiuen Hu
发明人： Jyh-Shin Chen , Sheng-Wen Chen , Hui-Ling Kao , Yu-Sheng Kung , Yu-Hsin Lin , Yi-Chiuen Hu
CPC分类号： H03H9/02622 , H03H3/08 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
摘要： A novel surface acoustic wave device with a decreased velocity dispersion and a low insertion loss as well as the fabrication method therefore is provided. The surface acoustic wave device includes a substrate, an insulating layer with an indentation on the substrate, a silicon layer divided by an etched window with a first portion on the insulating layer and a second portion suspended above the indentation, a piezoelectric layer on the first and the second portions of the silicon layer, and at least an electrode on the piezoelectric layer.
摘要翻译： 提供了一种具有降低的速度色散和低插入损耗的新型弹性表面波器件及其制造方法。 表面声波装置包括基板，在基板上具有凹陷的绝缘层，由蚀刻窗口分隔的硅层，绝缘层上具有第一部分，第二部分悬置在凹陷部分上，第一部分上的压电层 和硅层的第二部分，以及压电层上的至少一个电极。
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公开(公告)号：US20080066279A1
公开(公告)日：2008-03-20
申请号：US11944207
申请日：2007-11-21
申请人： Jyh-Shin Chen , Sheng-Wen Chen , Hui-Ling Kao , Yu-Sheng Kung , Yu-Hsin Lin , Yi-Chiuen Hu
发明人： Jyh-Shin Chen , Sheng-Wen Chen , Hui-Ling Kao , Yu-Sheng Kung , Yu-Hsin Lin , Yi-Chiuen Hu
CPC分类号： H03H9/02622 , H03H3/08 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
摘要： A novel surface acoustic wave device with a decreased velocity dispersion and a low insertion loss as well as the fabrication method therefor is provided. The surface acoustic wave device includes a substrate, an insulating layer with an indentation on the substrate, a silicon layer with a first portion on the insulating layer and a second portion suspended above the indentation, a piezoelectric layer on the first and the second portions of the silicon layer, and at least an electrode on the piezoelectric layer.
摘要翻译： 提供了具有降低的速度分散和低插入损耗的新型表面声波器件及其制造方法。 表面声波装置包括基板，在基板上具有凹陷的绝缘层，在绝缘层上具有第一部分的硅层和悬挂在凹槽上方的第二部分，在第一和第二部分上的压电层 硅层，以及压电层上的至少一个电极。
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