公开(公告)号：US20140293751A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：US14346824

申请日：2012-10-12

Applicant: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.

Inventor： Ronald Dekker ,  Marcelis Bout ,  Marcel Mulder ,  Ruediger Mauczok

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  B06B1/02 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5226 ,  B06B1/0292 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53271 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: The present invention relates to a through-wafer via device (10) comprising a wafer (12) made of a wafer material and having a first wafer surface (12a) and a second wafer surface (12b) opposing the first wafer surface (12a). The through-wafer via device (10) further comprises a plurality of side by side first trenches (14) provided with a conductive material and extending from the first wafer surface (12a) into the wafer (12) such that a plurality of spacers (16) of the wafer material are formed between the first trenches (14). The through-wafer via device (10) further comprises a second trench (18) provided with the conductive material and extending from the second wafer surface (12b) into the wafer (12), the second trench (18) being connected to the first trenches (14). The through-wafer via device (10) further comprises a conductive layer (20) made of the conductive material and formed on the side of the first wafer surface (12a), the conductive material filling the first trenches (14) such that the first conductive layer (20) has a substantially planar and closed surface.

Abstract translation: 本发明涉及包括由晶片材料制成并具有与第一晶片表面（12a）相对的第一晶片表面（12a）和第二晶片表面（12b）的晶片（12）的贯通晶片通孔装置（10） 。 贯通晶片通孔装置（10）还包括设置有导电材料并从第一晶片表面（12a）延伸到晶片（12）中的多个并排的第一沟槽（14），使得多个间隔件 在第一沟槽（14）之间形成晶片材料。 贯通晶片通孔装置（10）还包括设置有导电材料并从第二晶片表面（12b）延伸到晶片（12）中的第二沟槽（18），第二沟槽（18）连接到第一 沟槽（14）。 贯通晶片通孔装置（10）还包括由导电材料制成并形成在第一晶片表面（12a）一侧上的导电层（20），该导电材料填充第一沟槽（14），使得第一 导电层（20）具有基本平坦和闭合的表面。

公开(公告)号：US09230908B2

公开(公告)日：2016-01-05

申请号：US14346824

申请日：2012-10-12

Applicant: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.

Inventor： Ronald Dekker ,  Marcelis Bout ,  Marcel Mulder ,  Ruediger Mauczok

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  B06B1/02 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5226 ,  B06B1/0292 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53271 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: The present invention relates to a through-wafer via device (10) comprising a wafer (12) made of a wafer material and having a first wafer surface (12a) and a second wafer surface (12b) opposing the first wafer surface (12a). The through-wafer via device (10) further comprises a plurality of side by side first trenches (14) provided with a conductive material and extending from the first wafer surface (12a) into the wafer (12) such that a plurality of spacers (16) of the wafer material are formed between the first trenches (14). The through-wafer via device (10) further comprises a second trench (18) provided with the conductive material and extending from the second wafer surface (12b) into the wafer (12), the second trench (18) being connected to the first trenches (14). The through-wafer via device (10) further comprises a conductive layer (20) made of the conductive material and formed on the side of the first wafer surface (12a), the conductive material filling the first trenches (14) such that the first conductive layer (20) has a substantially planar and closed surface.

Abstract translation: 本发明涉及包括由晶片材料制成并具有与第一晶片表面（12a）相对的第一晶片表面（12a）和第二晶片表面（12b）的晶片（12）的贯通晶片通孔装置（10） 。 贯通晶片通孔装置（10）还包括设置有导电材料并从第一晶片表面（12a）延伸到晶片（12）中的多个并排的第一沟槽（14），使得多个间隔件 在第一沟槽（14）之间形成晶片材料。 贯通晶片通孔装置（10）还包括设置有导电材料并从第二晶片表面（12b）延伸到晶片（12）中的第二沟槽（18），第二沟槽（18）连接到第一 沟槽（14）。 贯通晶片通孔装置（10）还包括由导电材料制成并形成在第一晶片表面（12a）一侧上的导电层（20），该导电材料填充第一沟槽（14），使得第一 导电层（20）具有基本平坦和闭合的表面。