公开(公告)号：US20100055902A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12506678

申请日：2009-07-21

申请人： Kai Frohberg ,  Sven Mueller ,  Tino Hertzsch ,  Volker Jaschke

发明人： Kai Frohberg ,  Sven Mueller ,  Tino Hertzsch ,  Volker Jaschke

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144

摘要： Contact elements may be formed on the basis of a mask layer having openings, the width of which may be reduced by etching or deposition, thereby extending the process margins for a given lithography technique. Consequently, yield losses caused by short circuits in the contact level of sophisticated semiconductor devices may be reduced.

摘要翻译： 接触元件可以基于具有开口的掩模层形成，其宽度可以通过蚀刻或沉积来减小，从而延长给定光刻技术的工艺边缘。 因此，可能降低由复杂的半导体器件的接触电平的短路导致的屈服损失。

公开(公告)号：US20120161327A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US13208697

申请日：2011-08-12

申请人： Dmytro Chumakov ,  Tino Hertzsch

发明人： Dmytro Chumakov ,  Tino Hertzsch

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Vertical contact structures, such as contact elements connected to semiconductor-based contact regions in device areas comprising densely-spaced gate electrode structures, are formed for given lithography and patterning capabilities by incorporating at least one additional dielectric layer of superior tapering behavior into the dielectric material system.

摘要翻译： 形成垂直接触结构，例如连接到包括密集间隔开的栅极电极结构的器件区域中的基于半导体的接触区域的接触元件，用于给定的光刻和图案化能力，通过将至少一个具有优异锥度特性的附加电介质层结合到电介质材料中 系统。

公开(公告)号：US08563426B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US13208697

申请日：2011-08-12

申请人： Dmytro Chumakov ,  Tino Hertzsch

发明人： Dmytro Chumakov ,  Tino Hertzsch

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Vertical contact structures, such as contact elements connected to semiconductor-based contact regions in device areas comprising densely-spaced gate electrode structures, are formed for given lithography and patterning capabilities by incorporating at least one additional dielectric layer of superior tapering behavior into the dielectric material system.

摘要翻译： 形成垂直接触结构，例如连接到包括密集间隔开的栅极电极结构的器件区域中的基于半导体的接触区域的接触元件，用于给定的光刻和图案化能力，通过将至少一个具有优异锥度特性的附加电介质层结合到电介质材料中 系统。

公开(公告)号：US20110291170A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US12965212

申请日：2010-12-10

申请人： Dmytro Chumakov ,  Tino Hertzsch

发明人： Dmytro Chumakov ,  Tino Hertzsch

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/20 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In a semiconductor device, capacitors may be formed so as to be in direct contact with a transistor by using a shared transistor region, such as a drain region or a source region of closely spaced transistors, as one capacitor electrode, while the other capacitor electrode is provided in the form of a buried electrode in the dielectric material of the contact level. To this end, dielectric material may be deposited so as to reliably form a void, wherein, at any appropriate manufacturing stage, a capacitor dielectric material may be provided so as to separate the capacitor electrodes.

摘要翻译： 在半导体器件中，可以通过使用诸如漏极区域或紧密间隔的晶体管的源极区域的共享晶体管区域作为一个电容器电极来形成电容器以与晶体管直接接触，而另一个电容器电极 以接触电平的电介质材料中的埋入电极的形式提供。 为此，可以沉积电介质材料以便可靠地形成空隙，其中，在任何适当的制造阶段，可以提供电容器电介质材料以分离电容器电极。

公开(公告)号：US08946019B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US12965212

申请日：2010-12-10

申请人： Dmytro Chumakov ,  Tino Hertzsch

发明人： Dmytro Chumakov ,  Tino Hertzsch

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In a semiconductor device, capacitors may be formed so as to be in direct contact with a transistor by using a shared transistor region, such as a drain region or a source region of closely spaced transistors, as one capacitor electrode, while the other capacitor electrode is provided in the form of a buried electrode in the dielectric material of the contact level. To this end, dielectric material may be deposited so as to reliably form a void, wherein, at any appropriate manufacturing stage, a capacitor dielectric material may be provided so as to separate the capacitor electrodes.

摘要翻译： 在半导体器件中，可以通过使用诸如漏极区域或紧密间隔的晶体管的源极区域的共享晶体管区域作为一个电容器电极来形成电容器以与晶体管直接接触，而另一个电容器电极 以接触电平的电介质材料中的埋入电极的形式提供。 为此，可以沉积电介质材料以便可靠地形成空隙，其中，在任何适当的制造阶段，可以提供电容器电介质材料以分离电容器电极。