公开(公告)号：US20140186620A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：US14085275

申请日：2013-11-20

申请人： Karen K. Gleason ,  Rong Yang ,  Yaron Segal ,  Tonio Buonassisi ,  Baby Reeja Jayan

发明人： Karen K. Gleason ,  Rong Yang ,  Yaron Segal ,  Tonio Buonassisi ,  Baby Reeja Jayan

IPC分类号： B05D1/00

CPC分类号： B05D1/60 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02271 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/265

摘要： Embodiments described herein are related to methods for processing substrates such as silicon substrates. In some cases, the method may provide the ability to passivate a silicon surface at relatively low temperatures and/or in the absence of a solvent. Methods described herein may be useful in the fabrication of a wide range of devices, including electronic devices such as photovoltaic devices, solar cells, organic light-emitting diodes, sensors, and the like.

摘要翻译： 本文描述的实施例涉及用于处理诸如硅衬底的衬底的方法。 在一些情况下，该方法可提供在较低温度和/或不存在溶剂的情况下钝化硅表面的能力。 本文描述的方法可用于制造宽范围的装置，包括诸如光伏器件，太阳能电池，有机发光二极管，传感器等的电子器件。

公开(公告)号：US20090184382A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12358755

申请日：2009-01-23

申请人： Katherine Hartman ,  James Serdy ,  Tonio Buonassisi

发明人： Katherine Hartman ,  James Serdy ,  Tonio Buonassisi

IPC分类号： H01L31/036 ,  H01L21/34 ,  H01L31/18

CPC分类号： C30B33/02 ,  C30B29/06

摘要： A crystalline material structure is provided. The crystalline material structure includes a semiconductor structure being annealed at temperatures above the brittle-to-ductile transition temperature of the semiconductor structure, and cooled in an approximately linear time-temperature profile down to approximately its respective transition temperature T0.

摘要翻译： 提供结晶材料结构。 结晶材料结构包括在高于半导体结构的脆性 - 延性转变温度的温度下退火的半导体结构，并且在近似线性时间 - 温度分布下冷却至大约其各自的转变温度T0。