公开(公告)号：US20120192789A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：US13341965

申请日：2011-12-31

申请人： Karl-Josef Kramer ,  Mehrdad M. Moslehi ,  Seiichi Yokoi ,  George D. Kamian ,  Shashank Sharma ,  Jay Ashjaee

发明人： Karl-Josef Kramer ,  Mehrdad M. Moslehi ,  Seiichi Yokoi ,  George D. Kamian ,  Shashank Sharma ,  Jay Ashjaee

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52

CPC分类号： C23C16/45502 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/481 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06

摘要： This disclosure enables gas recovery and utilization for use in deposition systems and processes. The system includes a thin-film semiconductor layer deposition system comprising a deposition reactor, precursor gas feeds, and a gas recovery system.

摘要翻译： 该公开使得能够用于沉积系统和工艺中的气体回收和利用。 该系统包括薄膜半导体层沉积系统，其包括沉积反应器，前体气体进料和气体回收系统。