公开(公告)号：US07262064B2

公开(公告)日：2007-08-28

申请号：US10492147

申请日：2002-10-11

申请人： Kazuhiro Ohba ,  Kazuhiko Hayashi ,  Hiroshi Kano ,  Kazuhiro Bessho ,  Tetsuya Mizuguchi ,  Yutaka Higo ,  Masanori Hosomi ,  Tetsuya Yamamoto ,  Hiroaki Narisawa ,  Takeyuki Sone ,  Keitaro Endo ,  Shinya Kubo

发明人： Kazuhiro Ohba ,  Kazuhiko Hayashi ,  Hiroshi Kano ,  Kazuhiro Bessho ,  Tetsuya Mizuguchi ,  Yutaka Higo ,  Masanori Hosomi ,  Tetsuya Yamamoto ,  Hiroaki Narisawa ,  Takeyuki Sone ,  Keitaro Endo ,  Shinya Kubo

IPC分类号： H01L21/00 ,  G11B5/33 ,  G11B5/127

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C2029/5002 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/18 ,  H01F41/302 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： In a magnetoresistive effect element using a ferromagnetic tunnel junction having a tunnel barrier layer sandwiched between at least a pair of ferromagnetic layers, a magnetization free layer comprising one of the ferromagnetic layers is composed of a single layer of a material having an amorphous or microcrystal structure or a material layer the main portion of which has an amorphous or microcrystal structure. The magnetoresistive effect element can produce excellent magnetic-resistance characteristics, and a magnetic memory element and a magnetic memory device using the magnetoresistive effect element as a memory element thereof can improve both of write and read characteristics at the same time.

摘要翻译： 在使用具有夹在至少一对铁磁层之间的隧道势垒层的铁磁隧道结的磁阻效应元件中，包含一个铁磁层的磁化自由层由单层具有无定形或微晶结构的材料构成 或其主要部分具有无定形或微晶结构的材料层。 磁阻效应元件可以产生优异的磁阻特性，并且使用磁阻效应元件作为其存储元件的磁存储元件和磁存储器件可以同时改善写入和读取特性。

公开(公告)号：US07696511B2

公开(公告)日：2010-04-13

申请号：US12186189

申请日：2008-08-05

申请人： Kazuhiro Ohba ,  Tetsuya Mizuguchi ,  Takeyuki Sone ,  Keitaro Endo

发明人： Kazuhiro Ohba ,  Tetsuya Mizuguchi ,  Takeyuki Sone ,  Keitaro Endo

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675

摘要： A memory element having a storage layer containing an ion source layer between a first electrode and a second electrode is provided. The memory element stores information by changing an electrical characteristic of the storage layer, wherein at least Zr is added to the ion source layer as a metal element together with an ion conducting material.

摘要翻译： 提供了具有在第一电极和第二电极之间包含离子源层的存储层的存储元件。 存储元件通过改变存储层的电特性来存储信息，其中至少Zr与离子导电材料一起作为金属元素添加到离子源层。

公开(公告)号：US20090039337A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US12186189

申请日：2008-08-05

申请人： Kazuhiro Ohba ,  Tetsuya Mizuguchi ,  Takeyuki Sone ,  Keitaro Endo

发明人： Kazuhiro Ohba ,  Tetsuya Mizuguchi ,  Takeyuki Sone ,  Keitaro Endo

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675

摘要： A memory element having a storage layer containing an ion source layer between a first electrode and a second electrode is provided. The memory element stores information by changing an electrical characteristic of the storage layer, wherein at least Zr is added to the ion source layer as a metal element together with an ion conducting material.

摘要翻译： 提供了具有在第一电极和第二电极之间包含离子源层的存储层的存储元件。 存储元件通过改变存储层的电特性来存储信息，其中至少Zr与离子导电材料一起作为金属元素添加到离子源层。

公开(公告)号：US06572917B2

公开(公告)日：2003-06-03

申请号：US10189821

申请日：2002-07-03

申请人： Hiroaki Narisawa ,  Keitaro Endo ,  Shinya Kubo

发明人： Hiroaki Narisawa ,  Keitaro Endo ,  Shinya Kubo

IPC分类号： B05D512

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  H01L43/12

摘要： A manufacturing method of a magnetic memory device, wherein the inventive method does not require any special technique for forming pattern, but bilaterally ensures precision for processing a tunnel magneto-resistive effect element (called TMR element) and self-matching formation of connecting elements. The manufacturing method of a magnetic memory device comprises a processing step of forming a tunnel magneto-resistive effect film sandwiching a tunnel barrier layer between a magnetic pinned layer and a memory layer into a predetermined elementary configuration by applying a mask layer, wherein the mask layer is formed by applying a plating process.

摘要翻译： 一种磁存储器件的制造方法，其中本发明的方法不需要任何形成图案的特殊技术，而是双边确保处理隧道磁阻效应元件（称为TMR元件）和连接元件的自匹配形成的精度。 磁存储器件的制造方法包括：处理步骤，通过施加掩模层，形成在磁性被钉扎层和存储层之间夹入隧道势垒层的隧道磁阻效应膜到预定的基本构型，其中掩模层 通过施加电镀工艺形成。