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    Magnetic memory device having perpendicular magnetic tunnel junction pattern and method of forming the same
    1.
    发明授权
    Magnetic memory device having perpendicular magnetic tunnel junction pattern and method of forming the same 有权
    具有垂直磁隧道结图案的磁存储器件及其形成方法

    公开(公告)号：US09362486B2

    公开(公告)日：2016-06-07

    申请号：US14686761

    申请日：2015-04-14

    申请人： KeeWon Kim ,  SangHwan Park ,  JaeHoon Kim

    发明人： KeeWon Kim ,  SangHwan Park ,  JaeHoon Kim

    IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  G11C11/16

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L43/12

    摘要： Provided are a magnetic memory device and a method of forming the same. The magnetic memory device includes a pinned pattern including a coupling enhancement pattern, a polarization enhancement pattern, and a texture blocking pattern located between the coupling enhancement pattern and the polarization enhancement pattern, a free pattern located on the polarization enhancement pattern of the pinned pattern, and a tunnel barrier located between the pinned pattern and the free pattern. The coupling enhancement pattern includes a first enhancement magnetic pattern, a second enhancement magnetic pattern, and a first enhancement non-magnetic pattern located between the first enhancement magnetic pattern and the second enhancement magnetic pattern.

    摘要翻译： 提供一种磁存储器件及其形成方法。 磁存储器件包括钉扎图案，其包括位于耦合增强图案和极化增强图案之间的耦合增强图案，偏振增强图案和纹理阻挡图案，位于钉扎图案的偏振增强图案上的自由图案， 以及位于钉扎图案和自由图案之间的隧道屏障。 耦合增强图案包括位于第一增强磁图案和第二增强磁图案之间的第一增强磁图案，第二增强磁图案和第一增强非磁性图案。