公开(公告)号：US20140004717A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13903483

申请日：2013-05-28

申请人： Kelvin CHAN ,  Alexandros T. DEMOS

发明人： Kelvin CHAN ,  Alexandros T. DEMOS

IPC分类号： H01L21/263

CPC分类号： H01L21/02348 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

摘要： A method for repairing and lowering the dielectric constant of low-k dielectric layers used in semiconductor fabrication is provided. In one implementation, a method of repairing a damaged low-k dielectric layer comprising exposing the porous low-k dielectric layer to a vinyl silane containing compound and optionally exposing the porous low-k dielectric layer to an ultraviolet (UV) cure process.

摘要翻译： 提供了一种用于修复和降低半导体制造中使用的低k电介质层的介电常数的方法。 在一个实施方案中，修复损坏的低k电介质层的方法，包括将多孔低k电介质层暴露于含乙烯基硅烷的化合物，并任选地将多孔低k电介质层暴露于紫外线（UV）固化过程。