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    Backside imaging through a doped layer
    2.
    发明授权
    Backside imaging through a doped layer 有权
    通过掺杂层的背面成像

    公开(公告)号：US07479686B2

    公开(公告)日：2009-01-20

    申请号：US11290384

    申请日：2005-11-30

    申请人： Kenneth A Costello ,  Kevin P. Fairbairn ,  David W. Brown ,  Yun Chung ,  Patricia Gober ,  Edward Yin

    发明人： Kenneth A Costello ,  Kevin P. Fairbairn ,  David W. Brown ,  Yun Chung ,  Patricia Gober ,  Edward Yin

    IPC分类号： H01L31/00

    CPC分类号： H01L27/14625 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643

    摘要： Backthinning in an area selective manner is applied to CMOS imaging sensors 12 for use in electron bombarded active pixel array devices. A further arrangement results in an array of collimators 51 aligned with pixels 42 or groups of pixels of an active pixel array providing improved image contrast of such image sensor. Provision of a thin P-doped layer 52 on the illuminated rear surface provides both a diffusion barrier resulting in improved resolution and a functional shield for reference pixels. A gradient in concentration of P-doped layer 52 optimizes electron collection at the pixel array.

    摘要翻译： 以区域选择性方式进行反向应用于用于电子轰击的有源像素阵列器件的CMOS成像传感器12。 进一步的布置导致准直器51的阵列与像素42或有源像素阵列的像素组对齐，从而提供这种图像传感器的改善的图像对比度。 在照明的后表面上提供薄的P掺杂层52提供了扩散屏障，从而提供改进的分辨率和用于参考像素的功能屏蔽。 P掺杂层52的浓度梯度优化了像素阵列处的电子收集。

    Backside-thinned image sensor using Al2 O3 surface passivation
    6.
    发明授权
    Backside-thinned image sensor using Al2 O3 surface passivation 有权
    使用Al2 O3表面钝化的背面变薄图像传感器

    公开(公告)号：US08975668B2

    公开(公告)日：2015-03-10

    申请号：US13620476

    申请日：2012-09-14

    申请人： Kenneth A. Costello ,  Edward Yin ,  Michael Wayne Pelczynski ,  Verle W. Aebi

    发明人： Kenneth A. Costello ,  Edward Yin ,  Michael Wayne Pelczynski ,  Verle W. Aebi

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464

    摘要： A structure and method of manufacture is disclosed for a backside thinned imager that incorporates a conformal, Al2O3, low thermal budget, surface passivation. This passivation approach facilitates fabrication of backside thinned, backside illuminated, silicon image sensors with thick silicon absorber layer patterned with vertical trenches that are formed by etching the exposed back surface of a backside-thinned image sensor to control photo-carrier diffusion and optical crosstalk. A method of manufacture employing conformal, Al2O3, surface passivation approach is shown to provide high quantum efficiency and low dark current while meeting the thermal budget constraints of a finished standard foundry-produced CMOS imager.

    摘要翻译： 公开了一种用于背面薄化成像器的结构和方法，其包含保形Al 2 O 3，低热预算表面钝化。 这种钝化方法有利于制造具有通过蚀刻背面薄化图像传感器的暴露后表面以控制光载流子扩散和光学串扰形成的垂直沟槽的厚硅吸收层的背面变薄的背面照射的硅图像传感器。 显示了使用保形Al 2 O 3表面钝化方法的制造方法，以提供高量子效率和低暗电流，同时满足成品标准铸造生产的CMOS成像器的热预算约束。