公开(公告)号：US08004906B2

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US12805498

申请日：2010-08-03

申请人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jae-woong Hyun ,  Jai-kwang Shin ,  Young-gu Jin ,  Sung-il Park ,  Jong-seob Kim

发明人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jae-woong Hyun ,  Jai-kwang Shin ,  Young-gu Jin ,  Sung-il Park ,  Jong-seob Kim

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/16 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

摘要： Provided is a method of reliably operating a highly integratable nonvolatile memory device. The nonvolatile memory device may include a string selection transistor, a plurality of memory transistors, and a ground selection transistor between a bit line and a common source line. In the nonvolatile memory device, data may be erased from the memory transistors by applying an erasing voltage to the bit line or the common source line.

摘要翻译： 提供了可靠地操作高度可积分的非易失性存储器件的方法。 非易失性存储器件可以包括串选择晶体管，多个存储晶体管和位线和公共源极线之间的接地选择晶体管。 在非易失性存储器件中，通过向位线或公共源极线施加擦除电压，可以从存储晶体管擦除数据。

公开(公告)号：US07813185B2

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：US12010706

申请日：2008-01-29

申请人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jae-woong Hyun ,  Jai-kwang Shin ,  Young-gu Jin ,  Sung-il Park ,  Jong-seob Kim

发明人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jae-woong Hyun ,  Jai-kwang Shin ,  Young-gu Jin ,  Sung-il Park ,  Jong-seob Kim

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/16 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

摘要： Provided is a method of reliably operating a highly integratable nonvolatile memory device. The nonvolatile memory device may include a string selection transistor, a plurality of memory transistors, and a ground selection transistor between a bit line and a common source line. In the nonvolatile memory device, data may be erased from the memory transistors by applying an erasing voltage to the bit line or the common source line.

公开(公告)号：US20090021988A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：US12010706

申请日：2008-01-29

申请人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jae-woong Hyun ,  Jai-kwang Shin ,  Young-gu Jin ,  Sung-il Park ,  Jong-seob Kim

发明人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jae-woong Hyun ,  Jai-kwang Shin ,  Young-gu Jin ,  Sung-il Park ,  Jong-seob Kim

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C16/16 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

摘要： Provided is a method of reliably operating a highly integratable nonvolatile memory device. The nonvolatile memory device may include a string selection transistor, a plurality of memory transistors, and a ground selection transistor between a bit line and a common source line. In the nonvolatile memory device, data may be erased from the memory transistors by applying an erasing voltage to the bit line or the common source line.

摘要翻译： 提供了可靠地操作高度可积分的非易失性存储器件的方法。 非易失性存储器件可以包括串选择晶体管，多个存储晶体管和位线和公共源极线之间的接地选择晶体管。 在非易失性存储器件中，通过向位线或公共源极线施加擦除电压，可以从存储晶体管擦除数据。

公开(公告)号：US20100302870A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12805498

申请日：2010-08-03

申请人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jae-woong Hyun ,  Jai-kwang Shin ,  Young-gu Jin ,  Sung-iI Park ,  Jong-seob Kim

发明人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jae-woong Hyun ,  Jai-kwang Shin ,  Young-gu Jin ,  Sung-iI Park ,  Jong-seob Kim

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/16 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

摘要： Provided is a method of reliably operating a highly integratable nonvolatile memory device. The nonvolatile memory device may include a string selection transistor, a plurality of memory transistors, and a ground selection transistor between a bit line and a common source line. In the nonvolatile memory device, data may be erased from the memory transistors by applying an erasing voltage to the bit line or the common source line.

摘要翻译： 提供了可靠地操作高度可积分的非易失性存储器件的方法。 非易失性存储器件可以包括串选择晶体管，多个存储晶体管和位线和公共源极线之间的接地选择晶体管。 在非易失性存储器件中，通过向位线或公共源极线施加擦除电压，可以从存储晶体管擦除数据。

公开(公告)号：US08558256B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US11976011

申请日：2007-10-19

申请人： Ki-ha Hong ,  Young-gu Jin ,  Jai-kwang Shin ,  Sung-Il Park ,  Jong-seob Kim

发明人： Ki-ha Hong ,  Young-gu Jin ,  Jai-kwang Shin ,  Sung-Il Park ,  Jong-seob Kim

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/18

摘要： Provided are a light emitting diode (LED) using a Si nanowire as an emission device and a method of fabricating the same. The LED includes: a semiconductor substrate; first and second semiconductor protrusions disposed on the semiconductor substrate to face each other; a semiconductor nanowire suspended between the first and second semiconductor protrusions; and first and second electrodes disposed on the first and second protrusions, respectively.

摘要翻译： 提供了使用Si纳米线作为发射器件的发光二极管（LED）及其制造方法。 LED包括：半导体衬底; 设置在半导体衬底上的第一和第二半导体突起彼此面对; 悬置在第一和第二半导体突起之间的半导体纳米线; 以及分别设置在第一和第二突起上的第一和第二电极。

公开(公告)号：US07977707B2

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US12005399

申请日：2007-12-27

申请人： Ki-ha Hong ,  Jae-woong Hyun ,  Young-gu Jin ,  Jai-kwang Shin

发明人： Ki-ha Hong ,  Jae-woong Hyun ,  Young-gu Jin ,  Jai-kwang Shin

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L29/7841

摘要： Provided are a capacitorless DRAM and methods of manufacturing the same. The capacitorless DRAM may include a substrate including a source, a drain and a channel, a gate on the channel of the substrate, and a hole reserving unit below the channel.

摘要翻译： 提供了一种无电容器DRAM及其制造方法。 无电容器DRAM可以包括基板，包括源极，漏极和沟道，基板通道上的栅极，以及沟道下方的孔保留单元。

公开(公告)号：US20080303063A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：US12005399

申请日：2007-12-27

申请人： Ki-ha Hong ,  Jae-woong Hyun ,  Young-gu Jin ,  Jai-kwang Shin

发明人： Ki-ha Hong ,  Jae-woong Hyun ,  Young-gu Jin ,  Jai-kwang Shin

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L29/7841

摘要： Provided are a capacitorless DRAM and methods of manufacturing the same. The capacitorless DRAM may include a substrate including a source, a drain and a channel, a gate on the channel of the substrate, and a hole reserving unit below the channel.

摘要翻译： 提供了一种无电容器DRAM及其制造方法。 无电容器DRAM可以包括基板，包括源极，漏极和沟道，基板通道上的栅极，以及沟道下方的孔保留单元。

公开(公告)号：US20080277676A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US11976011

申请日：2007-10-19

申请人： Ki-ha Hong ,  Young-gu Jin ,  Jai-kwang Shin ,  Sung-ll Park ,  Jong-seob Kim

发明人： Ki-ha Hong ,  Young-gu Jin ,  Jai-kwang Shin ,  Sung-ll Park ,  Jong-seob Kim

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/18

摘要： Provided are a light emitting diode (LED) using a Si nanowire as an emission device and a method of fabricating the same. The LED includes: a semiconductor substrate; first and second semiconductor protrusions disposed on the semiconductor substrate to face each other; a semiconductor nanowire suspended between the first and second semiconductor protrusions; and first and second electrodes disposed on the first and second protrusions, respectively.

摘要翻译： 提供了使用Si纳米线作为发射器件的发光二极管（LED）及其制造方法。 LED包括：半导体衬底; 设置在半导体衬底上的第一和第二半导体突起彼此面对; 悬置在第一和第二半导体突起之间的半导体纳米线; 以及分别设置在第一和第二突起上的第一和第二电极。

公开(公告)号：US07936028B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US12081283

申请日：2008-04-14

申请人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jong-seob Kim ,  Jai Kwang Shin

发明人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jong-seob Kim ,  Jai Kwang Shin

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L29/66984 ,  B82Y25/00 ,  H01F1/401 ,  H01F1/404 ,  H01F10/1933 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3295 ,  H01L29/82

摘要： A spin field effect transistor may include at least one gate electrode, a channel layer, a first stack and a second stack separate from each other on a substrate, wherein the channel layer is formed of a half metal. The half metal may be at least one material selected from the group consisting of chrome oxide (CrO2), magnetite (Fe3O4), a double perovskite structure material, a Heusler alloy, NiMnSb, La(1-x)AxMnO3 (A=Ca, Ba, Sr, x˜0.3), and GaN doped with Cu, and the double perovskite structure material is expressed as a chemical composition of A2BB′O6, and a material corresponding to A is Ca, Sr, or Ba, a material corresponding to B is a 3d orbital transition metal, and a material corresponding to B′ is a 4d orbital transition metal. The 3d orbital transition metal may be Fe or Co, and the 4d orbital transition metal is Mo or Re.

摘要翻译： 自旋场效应晶体管可以包括在基板上彼此分离的至少一个栅电极，沟道层，第一堆叠和第二堆叠，其中沟道层由半金属形成。 半金属可以是选自氧化铬（CrO 2），磁铁矿（Fe 3 O 4），双钙钛矿结构材料，Heusler合金，NiMnSb，La（1-x）AxMnO 3（A = Ca， Ba，Sr，x〜0.3）和掺杂有Cu的GaN，双钙钛矿结构材料表示为A2BB'O6的化学组成，对应于A的材料为Ca，Sr或Ba，相当于 B是3d轨道过渡金属，对应于B'的材料是4d轨道过渡金属。 3d轨道过渡金属可以是Fe或Co，4d轨道过渡金属是Mo或Re。

公开(公告)号：US07608852B2

公开(公告)日：2009-10-27

申请号：US12005365

申请日：2007-12-27

申请人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin

发明人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin

IPC分类号： H01L27/32

CPC分类号： H01L33/34 ,  Y10S977/762

摘要： A luminous device and a method of manufacturing the luminous device are provided. The luminous device includes a light emitting layer and first and second electrodes connected to the light emitting layer. The light emitting layer is a strained nanowire.