公开(公告)号：US5326490A

公开(公告)日：1994-07-05

申请号：US602223

申请日：1990-11-15

申请人： Kiyoto Mori ,  Takao Shihoya ,  Hisao Hara, deceased

发明人： Kiyoto Mori ,  Takao Shihoya ,  Hisao Hara, deceased

IPC分类号： C09K13/08 ,  C09D9/00 ,  C11D1/00 ,  C23F1/16 ,  C23G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  C09K13/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02052 ,  C11D1/004 ,  C23F1/16 ,  C23G1/02

摘要： Sulfuric acid or sulfuric acid/hydrogen peroxide cleaning solutions used in semiconductor manufacturing processes are improved in wettability and cleaning effect by lowering their surface tension through the addition of surface-active agents Of the general formula R.sup.1 SO.sub.2 NR.sup.2 C.sub.2 H.sub.4 OA(I) wherein R.sup.1 stands for a fluoroalkyl group, R.sup.2 for H or a lower alkyl group and A for H or SO.sub.3 H.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP90 / 00345 Sec。 371日期1991年11月15日 102（e）1991年11月15日日期PCT 1990年3月15日PCT PCT。 WO90 / 10730 PCT出版物 1990年9月20日。用于半导体制造工艺中的硫酸或硫酸/过氧化氢清洁溶液通过加入表面活性剂降低其表面张力来改善润湿性和清洁效果。通式R 1 SO 2 NR 2 C 2 H 4 OA（I） 其中R1代表氟烷基，R2代表H或低级烷基，A代表H或SO3H。

公开(公告)号：US5580847A

公开(公告)日：1996-12-03

申请号：US472289

申请日：1995-06-07

申请人： Fumihiro Morikawa ,  Akihisa Yoshikawa ,  Norio Ishikawa ,  Takao Shihoya

发明人： Fumihiro Morikawa ,  Akihisa Yoshikawa ,  Norio Ishikawa ,  Takao Shihoya

IPC分类号： C11D10/02 ,  C11D1/28 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  C11D3/32 ,  C11D3/39

CPC分类号： H01L21/02052

摘要： An aqueous ammonia composition having low surface tension is disclosed, which comprises ammonia water and a fluoroalkylsulfonamide compound having the following general formula:R.sup.1 SO.sub.2 NR.sup.2 --X--H (I)wherein R.sup.1 represents a fluoroalkyl group, R.sup.2 represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, X represents a grouping selected from CH.sub.2 COO and (CH.sub.2 CH.sub.2 O).sub.n, wherein n is a positive integer from 1 to 20. This aqueous ammonia composition may be mixed with an aqueous hydrogen peroxide solution and water so that it can be used for cleaning a semiconductor substrate. The cleaning solution has outstanding stability, and exhibits improved efficacy in removing microparticles of impurities and excellent surface-protecting effect on the semiconductor substrate that is useful in the manufacture of high density integrated circuit elements.

摘要翻译： 公开了具有低表面张力的氨水组合物，其包含氨水和具有以下通式的氟代烷基磺酰胺化合物：其中R 1表示氟烷基，R 2表示氢原子或低级烷基的R 1 SO 2 N R 2 -XH（I）X 表示选自CH 2 COO和（CH 2 CH 2 O）n的基团，其中n为1至20的正整数。该氨水组合物可与过氧化氢水溶液和水混合，使其可用于清洗半导体衬底。 该清洗液具有突出的稳定性，在用于制造高密度集成电路元件的半导体基板上，除去杂质微粒和表面保护效果优异的效果。