公开(公告)号：US09261627B2

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：US13469037

申请日：2012-05-10

申请人： Kun-Ping Huang ,  Jr-Hau He ,  Li-Ko Yeh ,  Kun-Yu Lai

发明人： Kun-Ping Huang ,  Jr-Hau He ,  Li-Ko Yeh ,  Kun-Yu Lai

IPC分类号： G02B1/11 ,  B05D5/06 ,  B32B3/30 ,  C23C14/30 ,  G02B1/118 ,  C23C18/12

CPC分类号： G02B1/118 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/125 ,  C23C18/1291 ,  Y10T428/24355

摘要： The disclosure provides a zinc oxide anti-reflection layer having a syringe-like structure and method for fabricating the same. The zinc oxide anti-reflection layer includes: a zinc oxide lower portion, wherein the zinc oxide lower portion has a nanorod array structure; and a zinc oxide upper portion connected to the zinc oxide lower portion, wherein the zinc oxide anti-reflection layer has a syringe-like structure.

摘要翻译： 本发明提供一种具有注射器状结构的氧化锌抗反射层及其制造方法。 氧化锌防反射层包括：氧化锌下部，其中氧化锌下部具有纳米棒阵列结构; 和与氧化锌下部连接的氧化锌上部，其中，氧化锌防反射层具有注射器状结构。

公开(公告)号：US20130129974A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13469037

申请日：2012-05-10

申请人： Kun-Ping Huang ,  Jr-Hau He ,  Li Ko Yeh ,  Kun-Yu Lai

发明人： Kun-Ping Huang ,  Jr-Hau He ,  Li Ko Yeh ,  Kun-Yu Lai

IPC分类号： G02B1/11 ,  B05D5/06 ,  C23C14/30 ,  B32B3/30

CPC分类号： G02B1/118 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/125 ,  C23C18/1291 ,  Y10T428/24355

摘要： The disclosure provides a zinc oxide anti-reflection layer having a syringe-like structure and method for fabricating the same. The zinc oxide anti-reflection layer includes: a zinc oxide lower portion, wherein the zinc oxide lower portion has a nanorod array structure; and a zinc oxide upper portion connected to the zinc oxide lower portion, wherein the zinc oxide anti-reflection layer has a syringe-like structure.

摘要翻译： 本发明提供一种具有注射器状结构的氧化锌抗反射层及其制造方法。 氧化锌防反射层包括：氧化锌下部，其中氧化锌下部具有纳米棒阵列结构; 和与氧化锌下部连接的氧化锌上部，其中，氧化锌防反射层具有注射器状结构。

公开(公告)号：US08039834B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US11760002

申请日：2007-06-08

申请人： Zhong L. Wang ,  Xudong Wang ,  Jinhui Song ,  Jun Zhou ,  Jr-Hau He

发明人： Zhong L. Wang ,  Xudong Wang ,  Jinhui Song ,  Jun Zhou ,  Jr-Hau He

IPC分类号： H01L27/20

CPC分类号： H01L41/1136 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L41/22 ,  H02N2/18 ,  Y10S977/724 ,  Y10S977/73 ,  Y10S977/811 ,  Y10S977/948 ,  Y10T29/42

摘要： A semiconducting device includes a substrate, a piezoelectric wire, a structure, a first electrode and a second electrode. The piezoelectric wire has a first end and an opposite second end and is disposed on the substrate. The structure causes the piezoelectric wire to bend in a predetermined manner between the first end and the second end so that the piezoelectric wire enters a first semiconducting state. The first electrode is coupled to the first end and the second electrode is coupled to the second end so that when the piezoelectric wire is in the first semiconducting state, an electrical characteristic will be exhibited between the first electrode and the second electrode.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底，压电导线，结构，第一电极和第二电极。 压电线具有第一端和相对的第二端并设置在基板上。 该结构使得压电线以预定的方式在第一端和第二端之间弯曲，使得压电线进入第一半导体状态。 第一电极耦合到第一端并且第二电极耦合到第二端，使得当压电导线处于第一半导体状态时，在第一电极和第二电极之间将呈现电特性。