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    Memory device and memory data reading method
    1.
    发明申请
    Memory device and memory data reading method 有权
    存储器和存储器数据读取方式

    公开(公告)号：US20090210776A1

    公开(公告)日：2009-08-20

    申请号：US12216744

    申请日：2008-07-10

    申请人： Kyoung Lae Cho ,  Jae Hong Kim ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Dong Hyuk Chae

    发明人： Kyoung Lae Cho ,  Jae Hong Kim ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Dong Hyuk Chae

    IPC分类号： H03M13/09 ,  G06F11/10

    CPC分类号： G06F11/1072 ,  H03M13/09 ,  H03M13/15 ,  H03M13/1515 ,  H03M13/152

    摘要： Example embodiments may provide a memory device and memory data reading method. The memory device according to example embodiments may include a multi-bit cell array, an error detector which may read a first data page from a memory page in the multi-bit cell array and may detect an error-bit of the first data page, and an estimator which may identify a multi-bit cell where the error-bit is stored and may estimate data stored in the identified multi-bit cell among data of a second data page. Therefore, the memory device and memory data reading method may have an effect of reducing an error when reading data stored in the multi-bit cell and monitoring a state of the multi-bit cell without additional overhead.

    摘要翻译： 示例性实施例可以提供存储器件和存储器数据读取方法。 根据示例实施例的存储器件可以包括多位单元阵列，错误检测器，其可以从多位单元阵列中的存储器页读取第一数据页，并且可以检测第一数据页的错误位， 以及估计器，其可以识别存储错误位的多位单元，并且可以估计存储在所识别的多位单元中的数据在第二数据页的数据中。 因此，存储器件和存储器数据读取方法可以具有当读取存储在多位单元中的数据并且监视多位单元的状态而没有额外开销时减小误差的效果。

    Nonvolatile memory devices that utilize error correction estimates to increase reliability of error detection and correction operations
    2.
    发明授权
    Nonvolatile memory devices that utilize error correction estimates to increase reliability of error detection and correction operations 有权
    利用误差校正估计的非易失性存储器件增加错误检测和校正操作的可靠性

    公开(公告)号：US08239747B2

    公开(公告)日：2012-08-07

    申请号：US12216744

    申请日：2008-07-10

    申请人： Kyoung Lae Cho ,  Jae Hong Kim ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Dong Hyuk Chae

    发明人： Kyoung Lae Cho ,  Jae Hong Kim ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Dong Hyuk Chae

    IPC分类号： G06F11/00

    CPC分类号： G06F11/1072 ,  H03M13/09 ,  H03M13/15 ,  H03M13/1515 ,  H03M13/152

    摘要： Example embodiments may provide a memory device and memory data reading method. The memory device according to example embodiments may include a multi-bit cell array, an error detector which may read a first data page from a memory page in the multi-bit cell array and may detect an error-bit of the first data page, and an estimator which may identify a multi-bit cell where the error-bit is stored and may estimate data stored in the identified multi-bit cell among data of a second data page. Therefore, the memory device and memory data reading method may have an effect of reducing an error when reading data stored in the multi-bit cell and monitoring a state of the multi-bit cell without additional overhead.

    摘要翻译： 示例性实施例可以提供存储器件和存储器数据读取方法。 根据示例实施例的存储器件可以包括多位单元阵列，错误检测器，其可以从多位单元阵列中的存储器页读取第一数据页，并且可以检测第一数据页的错误位， 以及估计器，其可以识别存储错误位的多位单元，并且可以估计存储在所识别的多位单元中的数据在第二数据页的数据中。 因此，存储器件和存储器数据读取方法可以具有当读取存储在多位单元中的数据并且监视多位单元的状态而没有额外开销时减小误差的效果。

    Memory data detecting apparatus and method for controlling reference voltage based on error in stored data
    3.
    发明授权
    Memory data detecting apparatus and method for controlling reference voltage based on error in stored data 有权
    存储器数据检测装置和基于存储数据中的误差来控制参考电压的方法

    公开(公告)号：US07929346B2

    公开(公告)日：2011-04-19

    申请号：US12216745

    申请日：2008-07-10

    申请人： Dong Hun Yu ,  Kyoung Lae Cho ,  Dong Hyuk Chae ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Seung-Hwan Song

    发明人： Dong Hun Yu ,  Kyoung Lae Cho ,  Dong Hyuk Chae ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Seung-Hwan Song

    IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/34 ,  G11C16/26

    CPC分类号： G11C7/1006 ,  G11C7/14 ,  G11C11/5642 ,  G11C29/00 ,  G11C29/028 ,  G11C29/42 ,  G11C29/50 ,  G11C2211/5634

    摘要： Example embodiments may relate to a method and an apparatus for reading data stored in a memory, for example, providing a method and an apparatus for controlling a reference voltage based on an error of the stored data. Example embodiments may provide a memory data detecting apparatus including a first voltage comparator to compare a threshold voltage of a memory cell with a first reference voltage, a first data determiner to determine a value of at least one data bit stored in the memory cell according to a result of the comparison, an error verifier to verify whether an error occurs in the determined value, a reference voltage determiner to determine a second reference voltage that is lower than the first reference voltage based on a result of the verification, and a second data determiner to re-determine the value of the data based on the determined second reference voltage.

    摘要翻译： 示例性实施例可以涉及用于读取存储在存储器中的数据的方法和装置，例如提供一种基于存储的数据的错误来控制参考电压的方法和装置。 示例性实施例可以提供一种存储器数据检测装置，其包括用于将存储器单元的阈值电压与第一参考电压进行比较的第一电压比较器，第一数据确定器，用于根据存储器单元存储的至少一个数据位的值，根据 比较结果，用于验证所确定的值是否发生错误验证器，基于验证结果确定低于第一参考电压的第二参考电压的参考电压确定器，以及第二数据 确定器，以基于所确定的第二参考电压重新确定数据的值。

    Memory data detecting apparatus and method for controlling reference voltage based on error in stored data
    4.
    发明申请
    Memory data detecting apparatus and method for controlling reference voltage based on error in stored data 有权
    存储器数据检测装置和基于存储数据中的误差来控制参考电压的方法

    公开(公告)号：US20090207671A1

    公开(公告)日：2009-08-20

    申请号：US12216745

    申请日：2008-07-10

    申请人： Dong Hun Yu ,  Kyoung Lae Cho ,  Dong Hyuk Chae ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Seung-Hwan Song

    发明人： Dong Hun Yu ,  Kyoung Lae Cho ,  Dong Hyuk Chae ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Seung-Hwan Song

    IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C29/04

    CPC分类号： G11C7/1006 ,  G11C7/14 ,  G11C11/5642 ,  G11C29/00 ,  G11C29/028 ,  G11C29/42 ,  G11C29/50 ,  G11C2211/5634

    摘要： Example embodiments may relate to a method and an apparatus for reading data stored in a memory, for example, providing a method and an apparatus for controlling a reference voltage based on an error of the stored data. Example embodiments may provide a memory data detecting apparatus including a first voltage comparator to compare a threshold voltage of a memory cell with a first reference voltage, a first data determiner to determine a value of at least one data bit stored in the memory cell according to a result of the comparison, an error verifier to verify whether an error occurs in the determined value, a reference voltage determiner to determine a second reference voltage that is lower than the first reference voltage based on a result of the verification, and a second data determiner to re-determine the value of the data based on the determined second reference voltage.

    摘要翻译： 示例性实施例可以涉及用于读取存储在存储器中的数据的方法和装置，例如提供一种基于存储的数据的错误来控制参考电压的方法和装置。 示例性实施例可以提供一种存储器数据检测装置，其包括用于将存储器单元的阈值电压与第一参考电压进行比较的第一电压比较器，第一数据确定器，用于根据存储器单元存储的至少一个数据位的值，根据 比较结果，用于验证所确定的值是否发生错误验证器，基于验证结果确定低于第一参考电压的第二参考电压的参考电压确定器，以及第二数据 确定器，以基于所确定的第二参考电压重新确定数据的值。

    Memory device and data reading method
    7.
    发明授权
    Memory device and data reading method 有权
    存储器和数据读取方式

    公开(公告)号：US07843727B2

    公开(公告)日：2010-11-30

    申请号：US12232138

    申请日：2008-09-11

    申请人： Kyoung Lae Cho ,  Donghun Yu ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun

    发明人： Kyoung Lae Cho ,  Donghun Yu ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C29/00

    摘要： A memory device and a memory data reading method are provided. The memory device may include: a multi-bit cell array; a programming unit that stores N data pages in a memory page in the multi-bit cell array; and a control unit that divides the N data pages into a first group and second group, reads data of the first group from the memory page, and determines a scheme of reading data of the second group from the memory page based on the read data of the first group.

    摘要翻译： 提供存储器件和存储器数据读取方法。 存储器件可以包括：多位单元阵列; 编程单元，其将N个数据页存储在多位单元阵列中的存储器页面中; 以及控制单元，其将N个数据页划分为第一组和第二组，从存储器页面读取第一组的数据，并且基于读取的数据确定从存储器页面读取第二组的数据的方案 第一组。

    Apparatus and method of memory programming
    8.
    发明授权
    Apparatus and method of memory programming 有权
    存储器编程的装置和方法

    公开(公告)号：US08279668B2

    公开(公告)日：2012-10-02

    申请号：US12801532

    申请日：2010-06-14

    申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

    发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2216/14

    摘要： A memory programming apparatuses and/or methods are provided. The memory programming apparatus may include a data storage unit, a first counting unit, an index storage unit and/or a programming unit. The data storage unit may be configured to store a data page. The first counting unit may be configured to generate index information by counting a number of cells included in at least one reference threshold voltage state based on the data page. The index storage unit may be configured to store, the generated index information. The programming unit may be configured to store the data page in the data storage unit and store the generated index information in the index storage unit. The first counting unit may send the generated index information to the programming unit. The memory programming apparatus can monitor distribution states of threshold voltages in memory cells.

    摘要翻译： 提供了存储器编程设备和/或方法。 存储器编程装置可以包括数据存储单元，第一计数单元，索引存储单元和/或编程单元。 数据存储单元可以被配置为存储数据页。 第一计数单元可以被配置为通过基于数据页计数包括在至少一个参考阈值电压状态中的单元的数量来生成索引信息。 索引存储单元可以被配置为存储所生成的索引信息。 编程单元可以被配置为将数据页存储在数据存储单元中，并将生成的索引信息存储在索引存储单元中。 第一计数单元可以将生成的索引信息发送到编程单元。 存储器编程装置可以监视存储器单元中阈值电压的分布状态。

    Memory device and method for estimating characteristics of multi-bit programming
    9.
    发明授权
    Memory device and method for estimating characteristics of multi-bit programming 有权
    用于估计多位编程特性的存储器件和方法

    公开(公告)号：US08085599B2

    公开(公告)日：2011-12-27

    申请号：US12801505

    申请日：2010-06-11

    申请人： Kyoung Lae Cho ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim

    发明人： Kyoung Lae Cho ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim

    IPC分类号： G11C11/34

    CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C16/32 ,  G11C16/349 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5634

    摘要： Memory devices and/or methods that may estimate characteristics of multi-bit cell are provided. A memory device may include: a multi-bit cell array; a monitoring unit to extract a threshold voltage change over time value for reference threshold voltage states selected from a plurality of threshold voltage states corresponding to data stored in the multi-bit cell array; and an estimation unit to estimate a threshold voltage change over time values for the plurality of threshold voltage states based on the extracted threshold voltage change. Through this, it is possible to monitor a change over time of threshold voltages of a memory cell.

    摘要翻译： 提供了可以估计多位单元特性的存储器件和/或方法。 存储器设备可以包括：多位单元阵列; 监测单元，用于提取从对应于存储在多位单元阵列中的数据的多个阈值电压状态中选择的参考阈值电压状态的时间值的阈值电压变化; 以及估计单元，用于基于所提取的阈值电压变化来估计所述多个阈值电压状态的时间值的阈值电压变化。 由此，可以监视存储单元的阈值电压随时间的变化。

    Memory device and method for estimating characteristics of multi-bit programming
    10.
    发明申请
    Memory device and method for estimating characteristics of multi-bit programming 有权
    用于估计多位编程特性的存储器件和方法

    公开(公告)号：US20100254195A1

    公开(公告)日：2010-10-07

    申请号：US12801505

    申请日：2010-06-11

    申请人： Kyoung Lae Cho ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim

    发明人： Kyoung Lae Cho ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C16/32 ,  G11C16/349 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5634

    摘要： Memory devices and/or methods that may estimate characteristics of multi-bit cell are provided. A memory device may include: a multi-bit cell array; a monitoring unit to extract a threshold voltage change over time value for reference threshold voltage states selected from a plurality of threshold voltage states corresponding to data stored in the multi-bit cell array; and an estimation unit to estimate a threshold voltage change over time values for the plurality of threshold voltage states based on the extracted threshold voltage change. Through this, it is possible to monitor a change over time of threshold voltages of a memory cell.

    摘要翻译： 提供了可以估计多位单元特性的存储器件和/或方法。 存储器设备可以包括：多位单元阵列; 监测单元，用于提取从对应于存储在多位单元阵列中的数据的多个阈值电压状态中选择的参考阈值电压状态的时间值的阈值电压变化; 以及估计单元，用于基于所提取的阈值电压变化来估计所述多个阈值电压状态的时间值的阈值电压变化。 由此，可以监视存储单元的阈值电压随时间的变化。