公开(公告)号：US20080220375A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：US12074430

申请日：2008-03-04

申请人： Kyoung-Chul Kim ,  Bong-Chan Kim ,  In-Seak Hwang ,  Kwang-Wook Lee

发明人： Kyoung-Chul Kim ,  Bong-Chan Kim ,  In-Seak Hwang ,  Kwang-Wook Lee

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42

摘要： In a method of reworking a substrate, an organic anti-reflection coating (ARC) layer is formed on the substrate having an amorphous carbon pattern. A photoresist pattern is formed on the organic ARC layer. The photoresist pattern is entirely exposed when the photoresist pattern has a selected level of defects, and then the photoresist pattern is removed by a developing process. The substrate may be reworked without damaging the organic ARC layer, and the amorphous carbon pattern may include an alignment key and/or an overlay key.

摘要翻译： 在对衬底进行再加工的方法中，在具有无定形碳图案的衬底上形成有机抗反射涂层（ARC）层。 在有机ARC层上形成光刻胶图形。 当光致抗蚀剂图案具有选定的缺陷水平时，光致抗蚀剂图案完全曝光，然后通过显影过程去除光致抗蚀剂图案。 可以对衬底进行再加工而不损坏有机ARC层，并且非晶碳图案可以包括对准键和/或覆盖键。

公开(公告)号：US20060270241A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：US11420943

申请日：2006-05-30

申请人： Kyoung-Chul Kim ,  Dae-Keun Kang ,  Se-Ho Cha ,  In-Seak Hwang ,  Keum-Joo Lee

发明人： Kyoung-Chul Kim ,  Dae-Keun Kang ,  Se-Ho Cha ,  In-Seak Hwang ,  Keum-Joo Lee

IPC分类号： B08B3/00 ,  C23G1/00 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31138 ,  B08B7/00 ,  B08B7/0035 ,  G03F7/427 ,  H01L28/91

摘要： In a method of removing a photoresist pattern from a substrate without deteriorating a lower electrode or increasing processing time, ozone gas may be provided onto a substrate on which a photoresist pattern may be formed. An oxidation-decomposition process may be carried out using the ozone gas, to thereby decompose the photoresist pattern on the substrate. The decomposed photoresist pattern may be dissolved into water and removed from the substrate in a rinsing process. Accordingly, a photoresist pattern in an opening having a relatively high aspect ratio may be sufficiently removed from a substrate without deteriorating the lower electrode or increasing processing time.

摘要翻译： 在不损坏下电极或增加处理时间的情况下从基板上除去光致抗蚀剂图案的方法中，可以在可以形成光致抗蚀剂图案的基板上提供臭氧气体。 可以使用臭氧气体进行氧化分解处理，从而分解基板上的光致抗蚀剂图案。 分解的光致抗蚀剂图案可以在漂洗过程中溶解在水中并从基材中除去。 因此，具有相对高的纵横比的开口中的光致抗蚀剂图案可以从基板充分地去除而不会使下电极恶化或增加处理时间。

公开(公告)号：US20070298596A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US11812147

申请日：2007-06-15

申请人： Keum-Joo Lee ,  Kyoung-Chul Kim ,  Byoung-Yong Gwak

发明人： Keum-Joo Lee ,  Kyoung-Chul Kim ,  Byoung-Yong Gwak

IPC分类号： H01L21/425 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/31138 ,  G03F7/423 ,  G03F7/427 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462

摘要： In a method of removing a photoresist pattern, a photoresist pattern may be formed on an object layer. Impurities may be implanted into the object layer by a first ion implantation process employing the first photoresist pattern as a first ion implantation mask. The photoresist pattern hardened by the first ion implantation process may be transformed into a first water-soluble photoresist pattern. The water-soluble photoresist pattern may be removed from the object layer.

摘要翻译： 在去除光致抗蚀剂图案的方法中，可以在物体层上形成光致抗蚀剂图案。 可以通过使用第一光致抗蚀剂图案作为第一离子注入掩模的第一离子注入工艺将杂质注入到物体层中。 通过第一离子注入工艺固化的光致抗蚀剂图案可以转化为第一水溶性光致抗蚀剂图案。 水溶性光致抗蚀剂图案可以从目标层去除。