公开(公告)号：US20110102949A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12611855

申请日：2009-11-03

申请人： LU YUAN ,  JIAN X. SHEN ,  GEOFFREY W. ANDERSON ,  CHRISTOPHER NG

发明人： LU YUAN ,  JIAN X. SHEN ,  GEOFFREY W. ANDERSON ,  CHRISTOPHER NG

IPC分类号： G11B5/127

CPC分类号： G11B5/3163 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3909 ,  Y10T29/49039 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49052

摘要： A method of fabricating a tunneling magnetoresistance (TMR) reader is disclosed. A TMR structure comprising at least one ferromagnetic layer and at least one nonmagnetic insulating layer is provided. A first thermal annealing process on the TMR structure is performed. A reader pattern definition process performed on the TMR structure to obtain a patterned TMR reader. A second thermal annealing process is performed on the patterned TMR reader.

摘要翻译： 公开了一种制造隧道磁阻（TMR）读取器的方法。 提供包括至少一个铁磁层和至少一个非磁性绝缘层的TMR结构。 对TMR结构进行第一次热退火处理。 在TMR结构上执行读取器图案定义处理以获得图案化的TMR读取器。 对图案化TMR读取器进行第二热退火处理。

公开(公告)号：US20110135961A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US12634589

申请日：2009-12-09

申请人： QUNWEN LENG ,  JIAN X. SHEN ,  FENG LIU ,  GEOFFREY W. ANDERSON

发明人： QUNWEN LENG ,  JIAN X. SHEN ,  FENG LIU ,  GEOFFREY W. ANDERSON

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G01R33/098 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T428/1121

摘要： A method and system for providing a magnetic structure in magnetic transducer is described. The method and system include providing a pinning layer, a synthetic antiferromagnetic (SAF) adjacent to the pinning layer, a nonmagnetic layer, and a sensor layer. The SAF resides between the nonmagnetic and pinning layers. The nonmagnetic layer is between the SAF and the sensor layer. The SAF includes a pinned layer, a reference layer, and a nonmagnetic spacer layer between the pinned and reference layers. The pinned layer is magnetically coupled with the reference layer and includes sublayers. A first sublayer has a first blocking temperature distribution (TBD) and a first exchange energy. A second sublayer has a second TBD and a second exchange energy. The first sublayer is between the pinning layer and second sublayer. The first TBD is greater than the second TBD. The first exchange energy is less than the second exchange energy.

摘要翻译： 描述了一种用于在磁换能器中提供磁结构的方法和系统。 该方法和系统包括提供钉扎层，邻近钉扎层的合成反铁磁（SAF），非磁性层和传感器层。 SAF位于非磁性和钉扎层之间。 非磁性层位于SAF和传感器层之间。 SAF在被钉扎层和参考层之间包括钉扎层，参考层和非磁性间隔层。 被钉扎层与参考层磁耦合并且包括子层。 第一子层具有第一阻挡温度分布（TBD）和第一交换能。 第二子层具有第二TBD和第二交换能。 第一子层位于钉扎层和第二子层之间。 第一个TBD大于第二个TBD。 第一交换能量小于第二交换能量。