公开(公告)号：US20110202891A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US13094749

申请日：2011-04-26

申请人： Levi D. Barnes ,  Benjamin D. Painter ,  Qiliang Yan ,  Yongfa Fan ,  Jianliang Li ,  Amyn Poonawala

发明人： Levi D. Barnes ,  Benjamin D. Painter ,  Qiliang Yan ,  Yongfa Fan ,  Jianliang Li ,  Amyn Poonawala

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/70 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70641

摘要： One embodiment of the present invention provides a system that determines an assist feature placement within a post-optical proximity correction (post-OPC) mask layout. During operation, the system receives a set of target patterns which represent a set of polygons in a pre-OPC mask layout. The system then constructs a focus-sensitive cost function based on the target patterns, wherein the focus-sensitive cost function represents an amount of movement of post-OPC contours of the target patterns in response to changes in focus condition of the lithography system. Note that the contours of the target patterns substantially coincide with the edges of set of the polygons. Next, the system computes a cost-covariance field (CCF field) based on the focus-sensitive cost function, wherein the CCF field is a two-dimensional (2D) map representing changes to the focus-sensitive cost function due to an addition of a pattern at a given location within the post-OPC mask layout. Finally, the system generates assist features for the post-OPC mask layout based on the CCF field.

摘要翻译： 本发明的一个实施例提供了一种系统，其确定后光学邻近校正（后OPC）掩模布局中的辅助特征放置。 在操作期间，系统接收一组目标图案，这些目标图案表示预OPC掩模布局中的一组多边形。 然后，系统基于目标图案构建对焦敏感的成本函数，其中焦点敏感成本函数表示响应于光刻系统的聚焦条件的变化的目标图案的OPC后轮廓的移动量。 注意，目标图案的轮廓基本上与多边形的集合的边缘重合。 接下来，系统基于焦点敏感成本函数计算成本协方差字段（CCF字段），其中CCF字段是表示由于添加了对焦敏感成本函数而导致的对焦敏感成本函数的改变的二维（2D）映射 在后OPC掩模布局中的给定位置处的图案。 最后，系统基于CCF字段生成后OPC掩模布局的辅助功能。

公开(公告)号：US07954071B2

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：US12263354

申请日：2008-10-31

申请人： Levi D. Barnes ,  Benjamin D. Painter ,  Qiliang Yan ,  Yongfa Fan ,  Jianliang Li ,  Amyn Poonawala

发明人： Levi D. Barnes ,  Benjamin D. Painter ,  Qiliang Yan ,  Yongfa Fan ,  Jianliang Li ,  Amyn Poonawala

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/70 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70641

摘要： One embodiment of the present invention provides a system that determines an assist feature placement within a post-optical proximity correction (post-OPC) mask layout. During operation, the system receives a set of target patterns which represent a set of polygons in a pre-OPC mask layout. The system then constructs a focus-sensitive cost function based on the target patterns, wherein the focus-sensitive cost function represents an amount of movement of post-OPC contours of the target patterns in response to changes in focus condition of the lithography system. Note that the contours of the target patterns substantially coincide with the edges of set of the polygons. Next, the system computes a cost-covariance field (CCF field) based on the focus-sensitive cost function, wherein the CCF field is a two-dimensional (2D) map representing changes to the focus-sensitive cost function due to an addition of a pattern at a given location within the post-OPC mask layout. Finally, the system generates assist features for the post-OPC mask layout based on the CCF field.

摘要翻译： 本发明的一个实施例提供了一种系统，其确定后光学邻近校正（后OPC）掩模布局中的辅助特征放置。 在操作期间，系统接收一组目标图案，这些目标图案表示预OPC掩模布局中的一组多边形。 然后，系统基于目标图案构建对焦敏感的成本函数，其中焦点敏感成本函数表示响应于光刻系统的聚焦条件的变化的目标图案的OPC后轮廓的移动量。 注意，目标图案的轮廓基本上与多边形的集合的边缘重合。 接下来，系统基于焦点敏感成本函数计算成本协方差字段（CCF字段），其中CCF字段是表示对焦点敏感成本函数的改变的二维（2D）映射，由于添加了 在后OPC掩模布局中的给定位置处的图案。 最后，系统基于CCF字段生成后OPC掩模布局的辅助功能。

公开(公告)号：US08296688B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US13094749

申请日：2011-04-26

申请人： Levi D. Barnes ,  Benjamin D. Painter ,  Qiliang Yan ,  Yongfa Fan ,  Jianliang Li ,  Amyn Poonawala

发明人： Levi D. Barnes ,  Benjamin D. Painter ,  Qiliang Yan ,  Yongfa Fan ,  Jianliang Li ,  Amyn Poonawala

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/70 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70641

摘要： One embodiment of the present invention provides a system that determines an assist feature placement within a post-optical proximity correction (post-OPC) mask layout. During operation, the system receives a set of target patterns which represent a set of polygons in a pre-OPC mask layout. The system then constructs a focus-sensitive cost function based on the target patterns, wherein the focus-sensitive cost function represents an amount of movement of post-OPC contours of the target patterns in response to changes in focus condition of the lithography system. Next, the system computes a cost-covariance field (CCF field) based on the focus-sensitive cost function, wherein the CCF field is a two-dimensional (2D) map representing changes to the focus-sensitive cost function due to an addition of a pattern at a given location within the post-OPC mask layout. Finally, the system generates assist features for the post-OPC mask layout based on the CCF field.

摘要翻译： 本发明的一个实施例提供了一种系统，其确定后光学邻近校正（后OPC）掩模布局中的辅助特征放置。 在操作期间，系统接收一组目标图案，这些目标图案表示预OPC掩模布局中的一组多边形。 然后，系统基于目标图案构建对焦敏感的成本函数，其中焦点敏感成本函数表示响应于光刻系统的聚焦条件的变化的目标图案的OPC后轮廓的移动量。 接下来，系统基于焦点敏感成本函数计算成本协方差字段（CCF字段），其中CCF字段是表示由于添加了对焦敏感成本函数而导致的对焦敏感成本函数的改变的二维（2D）映射 在后OPC掩模布局中的给定位置处的图案。 最后，系统基于CCF字段生成后OPC掩模布局的辅助功能。

公开(公告)号：US20100115486A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12263354

申请日：2008-10-31

申请人： Levi D. Barnes ,  Benjamin D. Painter ,  Qiliang Yang ,  Yongfa Fan ,  Jianliang Li ,  Amyn Poonawala

发明人： Levi D. Barnes ,  Benjamin D. Painter ,  Qiliang Yang ,  Yongfa Fan ,  Jianliang Li ,  Amyn Poonawala

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/70 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70641

摘要： One embodiment of the present invention provides a system that determines an assist feature placement within a post-optical proximity correction (post-OPC) mask layout. During operation, the system receives a set of target patterns which represent a set of polygons in a pre-OPC mask layout. The system then constructs a focus-sensitive cost function based on the target patterns, wherein the focus-sensitive cost function represents an amount of movement of post-OPC contours of the target patterns in response to changes in focus condition of the lithography system. Note that the contours of the target patterns substantially coincide with the edges of set of the polygons. Next, the system computes a cost-covariance field (CCF field) based on the focus-sensitive cost function, wherein the CCF field is a two-dimensional (2D) map representing changes to the focus-sensitive cost function due to an addition of a pattern at a given location within the post-OPC mask layout. Finally, the system generates assist features for the post-OPC mask layout based on the CCF field.

摘要翻译： 本发明的一个实施例提供了一种系统，其确定后光学邻近校正（后OPC）掩模布局中的辅助特征放置。 在操作期间，系统接收一组目标图案，这些目标图案表示预OPC掩模布局中的一组多边形。 然后，系统基于目标图案构建对焦敏感的成本函数，其中焦点敏感成本函数表示响应于光刻系统的聚焦条件的变化的目标图案的OPC后轮廓的移动量。 注意，目标图案的轮廓基本上与多边形的集合的边缘重合。 接下来，系统基于焦点敏感成本函数计算成本协方差字段（CCF字段），其中CCF字段是表示由于添加了对焦敏感成本函数而导致的对焦敏感成本函数的改变的二维（2D）映射 在后OPC掩模布局中的给定位置处的图案。 最后，系统基于CCF字段生成后OPC掩模布局的辅助功能。